飞思卡尔半导体推出适用于l波段雷达应用的50v ldmos rf功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率rf应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。

　　rf产品线包括mrf6v14300h后期器件和mrf6v10010n驱动。当频率在1200 － 1400 mhz之间时， mrf6v14300h生成330 w的rf脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（fet）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。

　　先进的rf功率晶体管产品线（同时也是飞思卡尔50v rf功率ldmos电子系统和雷达系列的首条产品线）为那些希望在l波段频率设计rf脉冲功率产品的客户提供了竞争优势，如标准电源、冷却成本低和托盘设计的高可靠性等。计划在今年下半年推出的飞思卡尔新版本雷达和航空电子，有望展示出良好的增益、效率和热阻性能，能够全面超过目前市场其它同类产品。 飞思卡尔mrf6v14300h器件封装在符合rohs标准的气腔陶瓷封装内，热阻不到0.12o c/w jc，能够有效管理散热，减少散热器规模。出色的热性能为冷却器提供结温。mrf6v10010n是过模塑料封装，也具有出色的热性能。当与其他产品结合使用时，就能实现冷却成本低和托盘设计的高可靠性优势。

　　mrf6v14300h的关键rf性能数字有：1200 －1400 mhz的频率范围，330w的最高输出功率（在1400mhz，脉冲宽度为300 μsec，12％的占空比）、17 db增益、60％的漏极效率。特别值得一提的是，60％的漏极效率比竞争产品至少高出10个百分点。mrf6v10010n提供8w的最高输出功率（1400 mhz、300 ?s、12％的占空比）、22 db增益和60％的漏极效率。

　　与飞思卡尔50 v ldmos系列的其它器件一样，这些先进器件融入了静电放电（esd）保护功能，有助于减少它们对装配站点上的静电事件的敏感性。这种esd保护支持-6 v 到 +10 v的大范围栅极电压，当器件运行在更高效率级（如c级）时，这一设计的优势就非常明显。

　　rf器件基于飞思卡尔第6代超高压（vhv6） 50 v ldmos技术。首先被飞思卡尔实现商用的50 v vhv6 ldmos平台显示出行业领先的增益和效率。加之器件封装和热管理领域内的创新，vhv6技术通过每晶体管额定功率的提高，进一步减少了器件计数和系统成本。

　　飞思卡尔拥有40多年的rf功率经验，是一家领先的rf功率器件提供商（信息来源：allied business intelligence），迄今已经交付了40多亿瓦的大功率应用。飞思卡尔在交付创新、高度可靠、经济高效rf解决方案方面有着悠久的历史，能够帮助设计人员加快设计流程，在动态市场中取得成功，同时这还有助于确保提供长期大量运输的公司拥有充足的货源。

定价和供货情况

　　mrf6v10010n产品现已推出样品，并已投入批量生产。mrf6v14300h正在打样，并有望在2008年第三季度全面投入生产。mrf6v14300h的宽带参考文本也已上市。两款器件的大信号型号预计2008年年底推出。