2005/2006年全球半导体资本支出与半导体设备市场
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:368
（无锡市罗特电子公司，江苏 无锡 214001） | ||||||
关键词：半导体资本，支出，半导体设备，市场，兼并 中图分类号：tn305 文献标识码：a 文章编号：1004－4507（2005）12－0010－15 1 2005/2006年全球半导体资本支出呈下跌趋势 半导体资本支出是衡量全球半导体业是否兴旺的一个重要指标，它主要指半导体芯片厂商为了扩大芯片产能而兴建新厂房和购买新设备的投资，通常不包含厂商研究和开发（r＆d）的费用，如英特尔每年资本支出约50亿美元左右，每年研究费用约50亿美元左右，由此可见，半导体资本支出与半导体设备市场息息相关，半导体资本支出越大，半导体设备市场就越景气，如pacific crest securities报告，2004年全球半导体资本支出创新高，达477亿美元，比2003年增长58.5％[1]，据gartner报道，2004年全球半导体设备市场达375.8亿美元，比2003年增长64.2％，其增长率几乎与同年全球半导体资本支出同步[2]，由于要消化2004年全球半导体资本支出，再加上2005年中国和台湾地区大副削减资本支出，据投资银行piper jaffray预测，中国半导体资本支出将减少50％左右，台湾地区将减少20％左右，这两部分正好抵消了英特尔、三星等意外增加资本支出的部分，从而导致2005年全球半导体资本支出将比2004年有可能下降，约下降一位数字，见表1。2006年全球半导体资本支出将与2005年持平或有一位数字的下跌。 2005年上半年pacific crest securities和ic insights对全球25家ic公司资本支出作了详细的预测，并调高其原预测，见表2。 从表2和下半年有关报道可看到如下几点： （1）英特尔。2005年英特尔现金储备约120～130亿美元，每年资本支出约55～60亿美元，如2005年资本支出超过58亿美元，并投入近52亿美元用于研发。2005年7月英特尔宣布，将投资30亿美元在亚利桑那chandler兴建第6座300mm晶圆厂，工厂名为fab32，2007年生产45mmmpu，2008/2009年达量产。 （2）三星电子。2005年11月三星电子副董事长兼ceo尹钟龙表示，2004年半导体销售额为176亿美元，2012年将达610亿美元，届时拥有24座晶圆厂。在未来7年将投入330亿美元兴建8条晶圆厂生产线、并计划在美国奥斯汀建300mm内存晶圆厂，投资35亿美元，gartner执行副总裁klans kinnen 时此发表评论，这标志着三星资本支出增势放慢。虽然资本支出绝对值增加，但资本支出与预计收入的比率正在下降，并接近行业平均水平，在过去7年三星资本支出比率通常比行业平均值高10％以上，而未来7年资本支出比率仅比行业平均值高2％，尽管三星计划投资总额较高，但投资比率与行业平均值相比正在减慢。这意味着三星发展不能像过去7年那样富有侵略性。尽管三星资本支出计划宏大，但难以动摇英特尔在全球半导体市场老大的位置。 （3）日本。2005财年（至2006年3月）日本几家大型半导体公司业绩不佳，亏损扩大，前景暗淡。2005年11月初，尔必达、nec、三洋、索尼和东芝各自将其资本支出削减20％。虽然东芝因nand闪存需求猛增，但2005财年资本支出仍比2004年下降37％。该公司新上任总裁atsutoshi nishida雄心勃勃，表示在未来3年资本支出提高50％，约50亿美元，扩大300mm晶圆产能，使半导体销售额提高8％。 （4）中国台湾地区。piper jaffray 银行芯片设备产业分析师c.william lu认为，2006年台湾地区半导体资本支出将比2005年增长5％左右，台积电可能会采取保守的资本支出策略，维持平稳的资本支出，主要用于90/65nm产能的扩张。台联电资本支出将显著增加100％。积极争取90nm市场份额。台湾dram制造商的资本支出总体持平或微升。据台积电透露，台积电将投入75亿美元建一座下一代300mm晶圆厂，2007年1月动工，2008年8月生产，开始月产1.1万片晶圆，5年里最终月产10.5万片晶圆。 （5）中国大陆。piper jaffray 的c.william lu认为，2006年中国大陆的半导体资本支出将增加50％。中芯国际的资本支出将会上升，提升其300mm晶圆产能，以争夺90nm市场。海力士－st微电子（无锡）将在2006年下半年开始安装设备，尽管第一阶段200mm晶圆厂来自海力士fab 6的二手设备。和舰（苏州）可能提升资本支出，目前该厂所有200mm晶圆生产线都超负荷运转。宏力、华润上华、上
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