高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:435

报道了一种采用u形发射极新结构的高性能ingap/gaas hbt.采用自对准发射极、leu等先进工艺技术实现了特征频率达到108ghz,最大振荡频率达到140ghz的频率特性.这种新结构的hbt的击穿电压达到25v,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mv,拐点电压只有0.50v,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异.

关键词：	异质结双极型晶体管 u形发射极自对准发射极热处理能力

参考文献：

[1]liu w.the handbook of ⅲ-ⅴ heterojunction bipolar transistor.john willy & sons,1998

[2]qian yongxue,liu xunchun,wang runmei,et al.self-aligned gainp/gaas hbt device.chinese journal of semiconductors,2002,23(5):513(in chinese)[钱永学,刘训春,王润梅,等.自对准gainp/gaas hbt器件.半导体学报,2002,23(5):513]

[3]shi ruiying.research on the hbt with novel structures and its applications in optic driver ic.doctorial dissertation of institute of microelectronics of chinese academy of sciences,2003[石瑞英.新结构hbt器件研究及在驱动电路中的应用.中国科学院微电子中心

[4]lee y s,park c s.structure optimization of ingap/gaas hbt for power amplifier applications.proceedings of radio and wireless conference,2001:57

实在抱歉,只能弄到栽要.

关键词：	异质结双极型晶体管 u形发射极自对准发射极热处理能力

参考文献：

[1]liu w.the handbook of ⅲ-ⅴ heterojunction bipolar transistor.john willy & sons,1998

[4]lee y s,park c s.structure optimization of ingap/gaas hbt for power amplifier applications.proceedings of radio and wireless conference,2001:57

实在抱歉,只能弄到栽要.

上一篇：半导体材料的电子和空穴质量

上一篇：发展氮化镓集成电路的考虑

相关技术资料: 6-21全新紧凑型解决方案QPQ3550应用探究; 6-21功率半导体用树脂模塑结构NTC热敏电阻; 6-21新一代量子芯片Quantum Loon应用详解; 6-21AT-MEMORY AI处理技术参数设计; 6-21ARM和RISC-V处理器工作原理; 6-21memryx MX3芯片优势与特点; 6-20隔离式半桥栅极驱动器MPQ18831; 6-204-20mA输入模数转换器参数应用设计; 6-20单芯片AI集群定时解决方案简述; 6-20超低功耗3 轴微机电系统 (MEMS) 加速度计产品详情; 6-20240×410微米标准硅CMOS芯片; 6-20NE555定时器运动探测器应用详解

相关IC型号

高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

热门点击

推荐技术资料