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半导体材料的电子和空穴质量

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:407

material electron mass hole mass
alas 0.1
alsb 0.12 mdos=0.98
gan 0.19 mdos=0.60
gaas 0.067 m1h=0.082,mhh=0.45
gap 0.82 mdos=0.60
gasb 0.042 mdos=0.40
ge ml=1.64,mt=0.082 m1h=0.044,mhh=0.28
inp 0.073 mdos=0.64
inas 0.027 mdos=0.4
insb 0.13 mdos=0.4
si ml=0.98,mt=0.19 m1h=0.16,mhh=0.49


material electron mass hole mass
alas 0.1
alsb 0.12 mdos=0.98
gan 0.19 mdos=0.60
gaas 0.067 m1h=0.082,mhh=0.45
gap 0.82 mdos=0.60
gasb 0.042 mdos=0.40
ge ml=1.64,mt=0.082 m1h=0.044,mhh=0.28
inp 0.073 mdos=0.64
inas 0.027 mdos=0.4
insb 0.13 mdos=0.4
si ml=0.98,mt=0.19 m1h=0.16,mhh=0.49


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