另一个对标准金属流的修正包括添加silicide。硅元素和很多金属反应，包括铂，钯，钛和镍，形成化合物。这些silicides能形成低电阻的ohmic contacts，某种silicides还能形成稳定的 rectifying schottky barriers。因此silicidation不仅提高了contact电阻――这个对barrier metal系统是个问题――也能在不用额外成本下形成肖特基二极管。silicide 比最重掺杂的硅有更低的电阻，所以他们也能用来降低特定硅区域的电阻。许多mos工艺使用silicided 多晶（也叫做clad poly）来制作高速mos晶体管的gate。有些工艺也clad晶体管的source/drain区域来降低他们的电阻。由于多数silicide是相对refractory的，他们的沉积不排除后来的高温过程。因此