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铝的沉积和去除

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:712

大多数金属系统用铝或铝合金来作为主要的互联层。铝的导电能力几乎和铜或银一样好，并且它能快速沉积在覆盖在半导体制造中所有的物质的薄膜上。经过一段时间的加热，铝和硅形成低电阻的contact合金。

铝通常靠和与图2.25相似的设备蒸发来沉积。wafer被装在架子上，他们曝光的面都朝着一个盛有小量铝的坩锅。当坩锅被加热后，一些铝会蒸发并在硅表面沉积。为了防止铝蒸汽在wafer上沉积之前氧化，整个蒸发系统都处于高真空状态下。图示的蒸发系统只能处理纯铝，但一些更复杂的系统也能蒸发铝合金。

图2.25 铝蒸发设备简图

铝和硅在合适的温度下能成为合金。经过一段时间的加热后，在contact openings下会形成非常薄的铝掺杂硅层。这个步骤叫做sintering，它能在p型硅上形成ohmic contact，因为铝作为acceptor。铝硅合金形成的浅的重掺杂p

大多数金属系统用铝或铝合金来作为主要的互联层。铝的导电能力几乎和铜或银一样好，并且它能快速沉积在覆盖在半导体制造中所有的物质的薄膜上。经过一段时间的加热，铝和硅形成低电阻的contact合金。

铝通常靠和与图2.25相似的设备蒸发来沉积。wafer被装在架子上，他们曝光的面都朝着一个盛有小量铝的坩锅。当坩锅被加热后，一些铝会蒸发并在硅表面沉积。为了防止铝蒸汽在wafer上沉积之前氧化，整个蒸发系统都处于高真空状态下。图示的蒸发系统只能处理纯铝，但一些更复杂的系统也能蒸发铝合金。

图2.25 铝蒸发设备简图

铝和硅在合适的温度下能成为合金。经过一段时间的加热后，在contact openings下会形成非常薄的铝掺杂硅层。这个步骤叫做sintering，它能在p型硅上形成ohmic contact，因为铝作为acceptor。铝硅合金形成的浅的重掺杂p

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