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退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:383

退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

李 忠1，赵 显2，李玉国1，薛成山1

（1.山东师范大学物理与电子科学学院，山东 济南 250014；2.山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南 250100）

摘要: 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱，分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响，发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质c = o复合体是发光的重要因素；经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构，因量子限制效应–表面复合效应而发光。

关键词

退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

李 忠1，赵 显2，李玉国1，薛成山1

（1.山东师范大学物理与电子科学学院，山东 济南 250014；2.山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南 250100）

摘要: 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱，分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响，发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质c = o复合体是发光的重要因素；经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构，因量子限制效应–表面复合效应而发光。

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