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半导体硅片的化学清洗技术-硅片的化学清洗工艺原理

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:382

　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：
　　a. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来
去除。
　　b. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。
　　c. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：

　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：
　　a. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来
去除。
　　b. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。
　　c. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：

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