首先，在library manager 中打开inv 这个cell 的layout view。即打开了virtuoso editing 窗口，如图2-2-1 所示。

版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：icon menu , menu banner , statusbanner.
icon menu (图标菜单)缺省时位于版图图框的左边，列出了一些最常用的命令的图标,要查看图标所代表的指令，只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上，图标下方即会显示出相应的指令。
menu banner（菜单栏）,包含了编辑版图所需要的各项指令，并按相应的类别分组。几个常用的指令及相应的快捷键列举如下：
zoom in -------放大 (z) zoom out by 2------- 缩小2 倍(z)
save ------- 保存编辑(f2) delete ------- 删除编辑(del)
undo ------- 取消编辑(u) redo -------恢复编辑 (u)
move ------- 移动(m) stretch ------- 伸缩(s)
rectangle -------编辑矩形图形(r) polygon ------- 编辑多边形图形(p)
path ------- 编辑布线路径(p) copy -------复制编辑 (c)
status banner（状态显示栏），位于menu banner 的上方，显示的是坐标、当前编辑指令等状态信息。
在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口（layer and selection window lsw）。
lsw 视图的功能：
1） 可选择所编辑图形所在的层；
2） 可选择哪些层可供编辑；
3） 可选择哪些层可以看到。
由于我们所需的部分版图层次在初始lsw 中并不存在，因此下一步要做的是：建立我们
自己的工艺库所需的版图层次及其显示属性。为了简单起见，以下仅列出绘制我们这个版图
所需的最少版图层次。
层次名称 说明
nwell n阱
active 有源区
pselect p型注入掩膜
nselect n型注入掩膜
contact 引线孔，连接金属与多晶硅/有源区
metal1 第一层金属，用于水平布线，如电源和地
via 通孔，连接metal1 和metal2
metal2 第二层金属，用于垂直布线，如信号源的i/o 口
text 标签
poly 多晶硅，做mos 的栅
下图是修改后的lsw。

图2-2-2 lsw
如何来修改lsw 中的层次呢？以下就是步骤：
1． 切换至ciw 窗口，在technology file 的下拉菜单中选择最后一项edit layers 出现如图窗
口

图2-2-3 edit layers
2． 在technology library 中选择库mylib，先使用delete 功能去除不需要的层次。然后点击
add 添加必需的层次，add 打开如下图的窗口：

图2-2-4
其中，layer name 中填入所需添加的层的名称。abbv 是层次名称缩写。number 是系统给层
次的内部编号，系统保留128－256 的数字作为其默认层次的编号而将1－127 留给开发者创
造新层次。purpose 是所添加层次的功用，如果是绘图层次，一般选择drawing。priority 是
层次在lsw 中的排序位置。其余的选项一般保持默认值。在右边是图层的显示属性。可以
直接套用其中某些层次的显示属性。也可以点击edit resources 自己编辑显示属性。如图2-2-5
所示（这个窗口还可以在lsw 中调出） 编辑方法很简单，读者可以自己推敲，就不再赘
述。上述工作完毕后就得到我们所需的层次。接着我们就可以开始绘制版图了。