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自1989年召开第一届全国mocvd会议至今已过了16个年头，几经轮回，第九届全国mocvd会议又回到了第一届会议举行的地点-安徽黄山。地点虽然依旧，但我国的mocvd研究工作却发生了翻天覆地的变化。参会单位从最初的十多家发展到七十多家，参会人数也从最初的30多人发展到200多人，日本、新加坡、台湾和香港的多家研究机构和院校也前来参加会议，使该次会议成为颇具规模和影响的全国性专业学术会议。
本届会议较前几届会议不仅规模大得多，而且投寄的论文数也为历届之最，包括企业报告在内超过160篇，论文所涉及的内容更为广泛，同时还有不少创新性的工作。这一现象充分反映了我国mocvd工作近年来取得的巨大进展，显示了广大mocvd工作者对我国的科研和产业发展所做出的贡献。
每两年召开一次的mocvd会议为全国从事mocvd工作的人员提供了相互了解和交流的机会，通过编辑会议论文用以展示我国在这一领域的新进展和新成就，探讨急需解决的问题和将来的发展方向，促进相关产业与研究机构的联系和沟通。但因为篇幅所限，本论文集中只能登载会议论文的摘要。毫无疑问，这本文集并不能充分反映研究人员在mocvd工作中所付出的努力和取得的成果。我们只是希望能它能为广大科研工作者起到相互交流的桥梁作用。
国家自然科学基金委员会，科技部，信息产业部，中国科学院等历来对我国的mocvd研究工作都给以高度的关注和支持，是我国mocvd事业得以发展的重要原因，本次会议也都派人前来参加。我们借此机会表示由衷的感谢。

e- 大会报告
e-1 movpe growth and optical characterizationof ingaasn/gaas quantum wells k. onabe, s. sanorpim, f. nakajima and r. katayama 1
e-2 生产型mocvd设备的国产化进展 焦春美,刘祥林
e-3 宽禁带半导体的硅基异质外延及其光电特性 傅竹西
e-4 metalorganic chemical vapor deposition and optical / structural investigation of gan-based materials and structures zhe chuan feng (馮哲川)
e-5 mocvd生长gan和zno半导体材料 江风益,方文卿,刘和初,王立,蒲勇,莫春兰,熊传兵
e-6 p型algan材料表面特性研究
罗毅,邵嘉平,韩彦军,江洋,李洪涛,席广义,汪莱,孙长征,郝智彪
e-7 gan on si (111) grown with periodic silane burst s. j. chua, k. y. zang and l. s. wang
e-8 ealization of intrinsic p-type zno thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition x. w. sun
e-9 mocvd growth of ordered quasi-one-dimensional ii-vi nanostructures
s.k hark, x.t. zhang, z. liu, c.x. shan, and quan li
e-10 基于gaas 的空间太阳电池的应用与研究现状 陈文浚
e-11 gas phase chemistry of organometallics and nh3 and its effect on algan growth at atmospheric pressure
koh matsumoto,akinori ubukata, yoshiki yano, hiroki tokunaga, kazutada ikenaga, nakao akutsu, akira yamaguchi, toshiaki yamazaki and akitomo tachibana
e-12 以硅为衬底和一个电极的有机电致发光
秦国刚,冉广照,乔永平,马国立,徐愛国,张伯蕊
e-13 iii-v nitride base mos ching-ting lee
e-14 gan基mocvd生长从实验室到产业化 陈弘,周均铭
e-15 mocvd research at the hong kong university of science and technology (hkust)
kei may lau
e-16 uncooled inassb long-wavelength (3-12μm) infrared photo-detectors on 3”-gaas/si substrates grown by mocvd techniques james xu, yaqian gong, junhao chu
e-17 in-situ metrology for production of mocvd-grown gan-based materials
m. belousov, b. volf, j.c. ramer, e.a. armour, and a. gurary
e-18 important aspects for the growth of gan-based (opto)electronic devices on 4 inch sapphire
b. schineller, o. schoen, a. alam, m. luenenbuerger, r. beccard, j. kaeppeler, m. heuken, aixtron ag, kackertstr.
f-分会报告
f-1 金属β －二酮螯合物源的mocvd 孟广耀,彭定坤
f-2 高纯1,1- 二甲基肼的研制 潘毅,朱春生,虞磊,曹季
f-3 无掩膜横向外延生长gan薄膜
修向前, 陈琳, 张荣, 谢自力, 刘斌, 李亮, 韩平, 顾书林, 施毅, 郑有斗
f-4 氮化物衬底材料的研究和发展 徐军,周圣明,夏长泰,徐科
f-5 gan基hemt研究进展 王晓亮
f-6 alxga1-xn/gan异质结构二维电子气的输运性质 沈波
f-7 mocvd法制备金属—陶瓷功能梯度材料的研究 章娴君,郑慧雯,张庆熙,王显祥
f-8 mocvd法在蓝宝石衬底上外延生长zno薄膜
叶志镇,徐伟中,江柳,曾煜嘉,朱丽萍,赵炳辉
f-9 p型zno薄膜的