分子束外延蓝色激光器再获突破
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:303
目前所有商用蓝紫外光激光二极管(laser diode)都是以金氧化学气相沉积(mocvd)法制造的；去年初，夏普(sharp)公司在英国实验室的jon heffernan等人首次以分子束外延法，制作出波长405 nm激光器二极管，然而最初这些组件仅能以脉冲方式工作，且临界电流非常高。若要应用于商业上，这些激光器势必要能连续操作，且功率要够大才能读取光盘上的资料。现在，该小组终于以分子束外延法，制作出连续发光的氮化铟镓(ingan)蓝光激光二极管。
heffernan认为此举证实了mbe确实是可用于氮化物激光器的成长技术，而夏普是目前唯一同时拥有mbe和mocvd技术的领先者。该小组最新研发的激光器在室温下可以约0.2 mw的发射功率，以连续波模式操作三分钟，整片晶圆中激光二极管激发的中心波长为405 nm，其变动范围在6 nm内。连续波模式下的临界电流为125 ma，对应的临界电流密度为5.7 ka/cm2。
heffernan等人是在n型gan基材上制作上述激光器，且活性区包含三层厚度3 nm之未掺杂inxga1-xn (x=10%)量子阱。与mocvd法相比，以mbe来生长激光二极管，不需使用氨气来制作氮成份，因此可以降低制造成本。
在进一步将mbe导入量产之前，heffernan等人仍有许多研发工作要进行。该小组目前正在研究如何藉由algan被覆层中的p型掺杂的最佳化，以及降低成长温度，来改进组件的操作特性，并增长组件寿命。
值得一提的是，夏普的横滨厂早已经在使用mbe量产全世界大部分的dvd用红光激光器。夏普与其它的发展蓝光激光器的制造商如日亚(nichia)、(sony及matsushita electric同属于蓝光光盘协会(blu-ray disc association)的成员。
摘自：光纤新闻网
heffernan认为此举证实了mbe确实是可用于氮化物激光器的成长技术，而夏普是目前唯一同时拥有mbe和mocvd技术的领先者。该小组最新研发的激光器在室温下可以约0.2 mw的发射功率，以连续波模式操作三分钟，整片晶圆中激光二极管激发的中心波长为405 nm，其变动范围在6 nm内。连续波模式下的临界电流为125 ma，对应的临界电流密度为5.7 ka/cm2。
heffernan等人是在n型gan基材上制作上述激光器，且活性区包含三层厚度3 nm之未掺杂inxga1-xn (x=10%)量子阱。与mocvd法相比，以mbe来生长激光二极管，不需使用氨气来制作氮成份，因此可以降低制造成本。
在进一步将mbe导入量产之前，heffernan等人仍有许多研发工作要进行。该小组目前正在研究如何藉由algan被覆层中的p型掺杂的最佳化，以及降低成长温度，来改进组件的操作特性，并增长组件寿命。
值得一提的是，夏普的横滨厂早已经在使用mbe量产全世界大部分的dvd用红光激光器。夏普与其它的发展蓝光激光器的制造商如日亚(nichia)、(sony及matsushita electric同属于蓝光光盘协会(blu-ray disc association)的成员。
摘自：光纤新闻网
目前所有商用蓝紫外光激光二极管(laser diode)都是以金氧化学气相沉积(mocvd)法制造的；去年初，夏普(sharp)公司在英国实验室的jon heffernan等人首次以分子束外延法，制作出波长405 nm激光器二极管，然而最初这些组件仅能以脉冲方式工作，且临界电流非常高。若要应用于商业上，这些激光器势必要能连续操作，且功率要够大才能读取光盘上的资料。现在，该小组终于以分子束外延法，制作出连续发光的氮化铟镓(ingan)蓝光激光二极管。
heffernan认为此举证实了mbe确实是可用于氮化物激光器的成长技术，而夏普是目前唯一同时拥有mbe和mocvd技术的领先者。该小组最新研发的激光器在室温下可以约0.2 mw的发射功率，以连续波模式操作三分钟，整片晶圆中激光二极管激发的中心波长为405 nm，其变动范围在6 nm内。连续波模式下的临界电流为125 ma，对应的临界电流密度为5.7 ka/cm2。
heffernan等人是在n型gan基材上制作上述激光器，且活性区包含三层厚度3 nm之未掺杂inxga1-xn (x=10%)量子阱。与mocvd法相比，以mbe来生长激光二极管，不需使用氨气来制作氮成份，因此可以降低制造成本。
在进一步将mbe导入量产之前，heffernan等人仍有许多研发工作要进行。该小组目前正在研究如何藉由algan被覆层中的p型掺杂的最佳化，以及降低成长温度，来改进组件的操作特性，并增长组件寿命。
值得一提的是，夏普的横滨厂早已经在使用mbe量产全世界大部分的dvd用红光激光器。夏普与其它的发展蓝光激光器的制造商如日亚(nichia)、(sony及matsushita electric同属于蓝光光盘协会(blu-ray disc association)的成员。
摘自：光纤新闻网
heffernan认为此举证实了mbe确实是可用于氮化物激光器的成长技术，而夏普是目前唯一同时拥有mbe和mocvd技术的领先者。该小组最新研发的激光器在室温下可以约0.2 mw的发射功率，以连续波模式操作三分钟，整片晶圆中激光二极管激发的中心波长为405 nm，其变动范围在6 nm内。连续波模式下的临界电流为125 ma，对应的临界电流密度为5.7 ka/cm2。
heffernan等人是在n型gan基材上制作上述激光器，且活性区包含三层厚度3 nm之未掺杂inxga1-xn (x=10%)量子阱。与mocvd法相比，以mbe来生长激光二极管，不需使用氨气来制作氮成份，因此可以降低制造成本。
在进一步将mbe导入量产之前，heffernan等人仍有许多研发工作要进行。该小组目前正在研究如何藉由algan被覆层中的p型掺杂的最佳化，以及降低成长温度，来改进组件的操作特性，并增长组件寿命。
值得一提的是，夏普的横滨厂早已经在使用mbe量产全世界大部分的dvd用红光激光器。夏普与其它的发展蓝光激光器的制造商如日亚(nichia)、(sony及matsushita electric同属于蓝光光盘协会(blu-ray disc association)的成员。
摘自：光纤新闻网
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