Renesas 推出可克服门限值变化影响的新技术
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:332
瑞萨科技公司(renesas technology corp.)宣布,开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的sram(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。
瑞萨科技公司(renesas technology corp.)宣布,开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的sram(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。