安森美半导体（onsemiconductor）宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到highq硅-铜集成无源器件(ipd)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。
highqipd工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。

工艺

位于美国的世界级安森美半导体200mm制造厂采用的是ipd工艺。该厂具世界一流水平的原型和生产周期，高科技产品生产和故障分析设备和系统。

highq制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、mim电容器(0.62ff/um2)以及tin电阻器
(9ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。
加工温度-65°c/150°c
金属、vias和mim电容器上固有的稳定性
高温反位相（op）寿命(150°c,504小时)
额定esd：hbm,mm

ipd设计工具

安森美半导体为制造服务的客户提供用于ipd技术的设计组件，能够有效仿真的第一硅方案结果，并包含标准的cadence设计工具：

pcell生产器、views等；
cadenceassuradrc、lvs；
带有安捷伦ads模型的cadencerfde环境；
从布局到hfss仿真环境全自动转化。

安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件，帮助他们进行快速的建立原型。