飞兆NPT沟道IGBT针对电磁加热应用提供最佳抗雪崩能力
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:331
飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)的fga25n120antd1200vnpt沟道igbt结合最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热(ih)应用提高系统可靠性和效率。
fga25n120antd专为微波炉、ih电饭煲和其它ih炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。npt沟道igbt采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(npt)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得fga25n120antd能够耐受最大450mj的雪崩能量，确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。
飞兆半导体功能功率部副总裁taehoonkim称：“在电磁加热设备中，不稳定的功率、ac线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况，导致机器瞬间失效。为了解决ih应用中的这些可靠性问题，我们的新型1200vnpt沟道igbt提供业界最佳的抗雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度及提升总体系统效率。”
fga25n120antd的其它特性和系统优势包括：低饱和电压(vce(sat),typ=2.0v@ic=25a和tc=25°c)以限制导通损耗；低开关损耗(eoff,typ=0.96mj@ic=25a和tc=25°c)以减少系统功耗；以及内置frd(快速恢复二极管)以简化电路设计和减少元件数。
fga25n120antd以to-3p无铅封装形式供货，能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020b标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。订购1,000个时，价格为每个2.50美元，有现货供应，交货期为收到订单后12周内。
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