austriamicro公司fullservicefoundry部门近日宣布，推出0.35微米高压cmos工艺的可制造性设计(dfm)参考设计流程。该参考设计流程利用了特殊的模拟高压dfm工具，如电路设计及画板的性能检测、良率优化、寄生仿真(parasiticsimulation)及安全操作区检查，同时还将提供完整的设计支持，包括向制造商客户提供可供选择的模拟高压dfm指导方针和dfm设计评价。

这种高压cmos工艺(h35)采用模拟/混合信号技术，是最新一代的先进hvmos装置，可提供20v和50v的电压以及非常低的阻抗。h35应用场合很多，包括电源管理、发动机控制、打印头驱动器、dc/dc转换器、开关电源、lcd驱动器以及背光控制器。

该公司的处理器设计配套工具在整个设计过程中，充分集合了dfm的特性及优势。它拥有完整的硅片资格标准单元、外围单元及通用模拟单元，如比较器、运算放大器以及低功率a/d和d/a转换器。此外，该公司还表示，他们的定制模拟及rf器件、assura和calibre的物理验证标准装置也同样像电路仿真模型一样，可以快速设计复杂的高性能混合信号ic。

设计配套工具包含的所有的i/o构架都符合硅认证(silicon-validated)，以及军用esd和jedec栓锁效(latch-up)标准。全部的h35技术i/o库均由超过1800个单元构成，并支持3.3v和3.3v/5v的设计方案。该高压cmos工艺及它的库内含超过2400个内核和外围单元。