由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体 (nxp semiconductors)与台湾积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区(washington d.c.)举行的国际电子器件会议(international electron devices meeting，iedm)上共同发表七篇技术文章，报告双方通过恩智浦-台积电研究中心(nxp-tsmc research center)合作开发的半导体技术及制程方面的创新。

　　在会议中，恩智浦 –台积电研究中心发表了创新的嵌入式存储技术，这与传统的非易失性存储器相较，速度最多可以快上1,000倍，同时也具备小尺寸及低功耗等优势，预估其功耗较目前的存储器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存储器节省百分之五到十。此外，在使用近距无线通信技术(nfc，near field communication)进行移动支付或数据传输时，此技术有助于避免数据干扰并可以增加数据传输的安全性。

　　另一个技术文章发表的是置换传统石英谐振器的创新突破，此技术可以在芯片中内建更小及更薄的定时器，而可以直接在智能卡或移动电话sim卡芯片上内建定时器，进一步强化智能卡的加密保护功能。

　　此外，该研究中心也将发表在晶体管上的创新突破，报告新一代晶体管的效能以及其在多方面的应用。

　　恩智浦 –台积电研究中心于iedm所发表的七篇技术文章其创新突破简介如下：

　　*提高晶体管频率 (high frequency breakthrough): a novel fully self-aligned sige:c hbt architecture featuring a single step epitaxial collector-base process

　　*简化便携产品应用的低耗电量cmos制程 (process simplification for low power cmos processes for portable applications): tuning pmos mo(o,n) metal gates to nmos by addition of dyo capping layer

　　*新一代晶体管 (new generation transistor): demonstration of high-performance finfet devices featuring an optimized gatestack

　　*展现高效能cmos制程 (demonstration of high performance full cmos process): low vt cmos using doped hf-based oxides, tac-based metals and laser-only anneal

　　*创新的电路设计，大幅降低功耗百分之八十 (reducing power consumption effectively by 80%): rapid circuit-based optimization of low operational power cmos devices

　　*更快速、更省电、尺寸更小的嵌入式存储器 (faster, low power, scalable embedded memory): evidence of the thermo-electric thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells

　　*谐振器技术突破 (resonator technology breakthrough): scalable 1.1 ghz fundamental mode piezo-resistive silicon mems resonator