飞思卡尔半导体日前在ieee mtt-s国际微波大会上宣布推出全球最高功率的ldmos射频功率晶体管。

　　mrf6vp11kh 设备提供130 mhz、1 kw的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。

　　这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。

　　以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。

　　这种晶体管在10-150 mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (vhv6) ldmos（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450 mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。

　　mrf6vp11kh带来的好处已经超越了它作为功能最强大的商用ldmos rf晶体管的地位。mrf6vp11kh提供65%的排放功率，这对任何类型的射频功率设备都具有很高的价值。再加上高于27 db 的增益，这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量。

　　需要2 kw 脉冲输出功率和45 db增益的应用通常需要1个15 w的预驱动器、2个15 w的 驱动器和8个终端放大器，此时还要使用mosfet或双极设备，总共包括3个进阶和11台设备。但基于mrf6vp11kh的设计只需要3台设备。1个10 w ldmos驱动器和2个 mrf6vp11kh 终端放大器能够产生同等的输出功率和更高的50 db增益。

　　此外，对于给定功率水平，mrf6vp11kh使用50v偏置电压能够产生更高终端阻抗，这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合rohs的气泡封装热阻测评低于0.13o c/w qjc，可提供有效的热管理，并减少散热片尺寸。mrf6vp11kh 带有集成静电放电 (esd) 保护，因而除了在电子制造中看到的日常处理外，就不再需要特别的处理。

ldmos技术

　　mrf6vp11kh 连接飞思卡尔2006年推出的业界领先的50v vhv6 ldmos 设备系列。已经投入生产的其它在10-450 mhz 运行的设备包括mrf6v2010n (10 w cw、24 db增益和62%的效率)、mrf6v2150n (150 w cw、25 db增益、68%的效率)和mrf6v2300n (300 w cw、25.5%和68%的效率)。

供货情况

　　飞思卡尔现在已经开始提供mrf6vp11kh样品和支持的参考设计如需了解定价信息，请联系飞思卡尔半导体、本地飞思卡尔销售办事处或飞思卡尔授权经销商。