日前，意法半导体（ST）与海力士半导体（Hynix）在无锡的存储器芯片前端制造合资工厂破土动工，项目计划总投资20亿美元。该工厂将拥有8英寸和12英寸两条生产线，主要提供DRAM内存和NAND闪存产品。首批DRAM和NAND产品的容量分别为512Mb和4Gb~8Gb，2007年将能够供应1Gb的DRAM和8Gb~16Gb的NAND产品。

　　作为NOR闪存领先提供商，ST公司认为随着市场对多媒体信息处理能力要求的不断提升，提供能把NAND、NOR和DRAM存储产品集于一体的解决方案将成为大势所趋。为了具备另外两种存储产品的供应能力，ST公司在2003年开始与韩国的Hynix公司开展密切合作，共同研发NAND产品。2004年11月，双方决定在中国无锡建立合资工厂，同时为双方生产供应NAND和DRAM产品。这样一来，ST公司也就成为囊括NAND、NOR和DRAM三种主流存储产品的厂商。

　　据悉，合资工厂的8英寸生产线将采用90纳米工艺，主要生产DRAM产品，制造设施从Hynix位于韩国的制造厂转移到新工厂，预计2006年达到量产。另外一条12英寸生产线计划采用70纳米工艺，产能将对等分配给DRAM和NAND产品，预计2007年达到量产。

　　合作双方均表示，由于NAND和DRAM产品在生产工艺上有很多重合部分，因此十分利于进行灵活的生产任务切换。新工厂下线的产品将采用ST公司的MCP（多芯片封装）堆叠式封装技术，向市场提供单一封装的NAND加DRAM存储解决方案，同时ST公司设在深圳的封装测试工厂也将有能力为这一新工厂提供服务。