表1是通过eb结加反向电压测电阻的一组数据，13vfbe及14vfbe、15delta是测r总电阻上的电压差δv，16def是r总电阻上的电流差δi，17r1＋r2是δv/δi＝r，18vfbe及19vfbe、20delta为电阻r1上的电压差δv，21def为电阻r1上的电流差δi，22r1＝δv/δi＝r1，23r2＝17r1＋r2－r1＝r2，24r1/r2为r1与r2的比值。表1中数据与b370图示仪曲线不是同一批产品，测r1时，把拐点也包括进去了，测出的r1就不太准确了。所以每批产品要在b370上先看一下拐点才能正确选取δv和δi的范围。

结论

数字晶体管内置电阻的测试，要有相当的实际经验，才能把电阻测得相当准确，我公司现有测试水平可精确到1ω级。

测试时具体情况必须具体对待：（1）对于r1、r2电阻较大的数字晶体管，电流差δi不易取正确，r1、r2电阻过小的，电压差δv不易取正确，这些都会造成r1、r2测试有一定的误差；（2）选取δi及δv时如果位置选得不恰当，超过r与r1之间的拐点，均会使测试误差比较大；（3）一般编测试程序前，要在图示仪上看一下，两个电阻段的拐点在什么地方，便于正确选取δi及δv，使r及r1测得较正确；（4）对于r1、r2较大的数字晶体管，反向测试需加的电压会相当高，对晶体管可靠性会有影响，这时加正向测试比较方便，也可以测得比较正确。