数字晶体管的测试与一般小信号晶体管相比，有较大的区别，主要测输入截止电压vi（off）（7bton），输入开启电压vi（on）（8bton），输出电压vo（on）（9vcesat），输入截止电流ii（10ieb），输出截止电流io（off）（11ices），直流电流增益gi（12hfe），电阻r1（22r1），电阻r2（23r2）括号内对应附表中计算机测试程序中的相应项，其中电阻r1与r2因不能直接测试，要测试正确比较困难。

下面以dtc114esa举例说明测试原理。

如图2所示，由于基极与发射极上并联了一只10k电阻，基极上又串联一只10k的电阻，测试时晶体管eb结构的特性就与小信号晶体管eb结的正反向特征有很大区别，一般晶体管的正向特性曲线如图3所示，从0.7v左右正向电流随正向电压徒直上升，方向特性在6～10v左右开始雪崩击穿，像一只6～10v的稳压二极管如图4所示，而数字晶体管串联r1及并联r1电阻后，输入特性曲线如图5所示，所加正向电压小于0.7v时，晶体管可当作截止状态，eb两端的电压除以电流，所得的电阻r为r1与r2之和。当所加正向电压大于0.7v时，晶体管可作为导通，导通时电阻r2与eb结正向结电阻并联近似，eb结两端测得的电压除以电流所得的电阻就是r1，再把r值减去r1值，就是r2的电阻值。

数字晶体管的反向特性与一般小信号晶体管的反向特性差别更大，如图6，由于eb结上并联了一个电阻r2。在eb结上一加反向电压，就有反向电流（如测输出特性曲线有严重小电流现象，使用者不要一看到小电流就认为是不良品），随着反向电压的增加，反向电流逐渐上升，呈现一典型电阻特性，把测出两端所加电压的差值与电流差值相比，就是电阻r（等于r1＋r2）的值，当反向电压加到大于晶体管的eb结反向击穿电压时，eb结雪崩击穿，eb结上并联的电阻r2被短路，但曲线不是垂直向上，因为基极里有串联电阻r1，其倾斜部分直线的斜率（电压差除以电流差）就是电阻r1的值，再把r值减去r1的值就是电阻r2的值。

从理论上分析，用测正向特性的方法来测两个电阻正确性比较差，因为加正向电压时，晶体管的eb结并不要到0.7v才导通，加到0.5v电压就有一点点正向电流出现，正向电压加到0.7v以上正向电流迅速上升时，上升曲线也不完全是一条直线。因为所测得的总电阻r及电阻r1均有误差，从图5可看出两个电阻线段带有一点非线性，而用测反向特性的方法来测电阻，理论上讲正确性好，因为eb结反向击穿前，eb结的反向电流基本等于0，相当于完全截止，可以正确测出r，而反向雪崩击穿后电阻r2被短路，完全导通，能够正确测出r1。