Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块
发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:573
由ibm微电子公司的一群工程师和管理人员2002年面向无线应用领域而成立的tahoe rf semiconductor公司专注于rf和模拟ic,最近该公司推出其首批rf ip “core tech” 产品,包括系列cdma接收机前端和集成压控振荡器(vco)。
这批器件面向多种无线通信标准,采用jazz semiconductor公司0.35微米sige bicmos工艺制造。该公司称,tahoe团队已针对直接及非直接下变换设计了许多wcdma电路,包括完整的wcdma芯片组、cmos及ecl标准单元库和8ghz rf电路。
trfs-151 ip模块低噪声900mhz接收机前端集成了一个双增益低噪音放大器和一个 双增益下变换混合器。在片外滤波时,trfs-151提供必要的电路来实现蜂窝电话is-98b cdma标准前端。 该ip模块是低相位噪声cmos vco。该器件在3v电源下工作电流为5ma,可按照不同的中心频率调整工作。核心电路的占位面积小于0.36平方毫米,提供集成输出缓冲。目标应用是gsm、cdma、wlan、gps、pcs/dcs和amps标准。
这批器件面向多种无线通信标准,采用jazz semiconductor公司0.35微米sige bicmos工艺制造。该公司称,tahoe团队已针对直接及非直接下变换设计了许多wcdma电路,包括完整的wcdma芯片组、cmos及ecl标准单元库和8ghz rf电路。
trfs-151 ip模块低噪声900mhz接收机前端集成了一个双增益低噪音放大器和一个 双增益下变换混合器。在片外滤波时,trfs-151提供必要的电路来实现蜂窝电话is-98b cdma标准前端。 该ip模块是低相位噪声cmos vco。该器件在3v电源下工作电流为5ma,可按照不同的中心频率调整工作。核心电路的占位面积小于0.36平方毫米,提供集成输出缓冲。目标应用是gsm、cdma、wlan、gps、pcs/dcs和amps标准。
由ibm微电子公司的一群工程师和管理人员2002年面向无线应用领域而成立的tahoe rf semiconductor公司专注于rf和模拟ic,最近该公司推出其首批rf ip “core tech” 产品,包括系列cdma接收机前端和集成压控振荡器(vco)。
这批器件面向多种无线通信标准,采用jazz semiconductor公司0.35微米sige bicmos工艺制造。该公司称,tahoe团队已针对直接及非直接下变换设计了许多wcdma电路,包括完整的wcdma芯片组、cmos及ecl标准单元库和8ghz rf电路。
trfs-151 ip模块低噪声900mhz接收机前端集成了一个双增益低噪音放大器和一个 双增益下变换混合器。在片外滤波时,trfs-151提供必要的电路来实现蜂窝电话is-98b cdma标准前端。 该ip模块是低相位噪声cmos vco。该器件在3v电源下工作电流为5ma,可按照不同的中心频率调整工作。核心电路的占位面积小于0.36平方毫米,提供集成输出缓冲。目标应用是gsm、cdma、wlan、gps、pcs/dcs和amps标准。
这批器件面向多种无线通信标准,采用jazz semiconductor公司0.35微米sige bicmos工艺制造。该公司称,tahoe团队已针对直接及非直接下变换设计了许多wcdma电路,包括完整的wcdma芯片组、cmos及ecl标准单元库和8ghz rf电路。
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