AlGaN紫外光电导探测器的研究
发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:383
摘 要：在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(mocvd)方法生长了未掺杂的al0．15ga0．85n外延层，并以此为材料制作了光电导探测器，实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(ppc)的产生机理。
关键词：algan；光电导探测器；紫外光；ppc
近年来，gan及其合金成为人们重点研究的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好、电子漂移饱和速度高以及化学稳定性高等优点，对于抗辐射、耐高温的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有极大的发展空间和广阔的市场［1］。
摘 要：在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(mocvd)方法生长了未掺杂的al0．15ga0．85n外延层，并以此为材料制作了光电导探测器，实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(ppc)的产生机理。
关键词：algan；光电导探测器；紫外光；ppc
近年来，gan及其合金成为人们重点研究的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好、电子漂移饱和速度高以及化学稳定性高等优点，对于抗辐射、耐高温的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有极大的发展空间和广阔的市场［1］。
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