看好发展前景 IBM进军CMOS图像传感器
发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:452
去年9月，ibm宣布获得柯达cmos图像传感器知识产权使用许可，决定与柯达携手开发和制造cmos图像传感器。上周，柯达宣布位于佛蒙特州伯灵顿的ibm制造厂采用这种工艺为柯达生产的全新300万和500万像素相机提供支持，cmos传感器均符合要求。
ibm伯灵顿厂生产的cmos传感器基于ibm0.18微米铜cmos制造工艺，提供了一个包括具备引脚二极管的四晶体管、3微米像素架构和ibm图像传感器电路库访问权限在内的集成设计工具。ibmcmos技术为图像传感器提供了最为优异的暗环境性能，即拍照手机等消费产品所需的一种在低光照条件下的重要相片拍摄能力。
ibmcmos传感器内置的超薄2.5微米铜堆栈、片上色彩过滤器和显微镜头，可进一步提高图像质量。其中，铜堆栈厚度比标准铝制造工艺大约薄了30%，可在低光照条件中通过增加采光效率来提高相片质量。另外，即使使用更大光圈，传感器的显微透镜角度响应性能依然能够提供优异的相片分辨率和清晰度。
图像传感器市场增长点正在从ccd(光电荷耦合器件)转变为基于cmos的传感器。当前，在数字成像产品领域，由于图片质量较高，ccd技术主宰着传感器市场。而与ccd技术相比，cmos技术具有低能耗、高集成度和低生产成本等对客户来说极其重要的优势。特别是，ibm的制造技术路线图能够生产其尺寸和性能规格接近当今ccd的cmos图像传感器。
去年9月，ibm宣布获得柯达cmos图像传感器知识产权使用许可，决定与柯达携手开发和制造cmos图像传感器。上周，柯达宣布位于佛蒙特州伯灵顿的ibm制造厂采用这种工艺为柯达生产的全新300万和500万像素相机提供支持，cmos传感器均符合要求。
ibm伯灵顿厂生产的cmos传感器基于ibm0.18微米铜cmos制造工艺，提供了一个包括具备引脚二极管的四晶体管、3微米像素架构和ibm图像传感器电路库访问权限在内的集成设计工具。ibmcmos技术为图像传感器提供了最为优异的暗环境性能，即拍照手机等消费产品所需的一种在低光照条件下的重要相片拍摄能力。
ibmcmos传感器内置的超薄2.5微米铜堆栈、片上色彩过滤器和显微镜头，可进一步提高图像质量。其中，铜堆栈厚度比标准铝制造工艺大约薄了30%，可在低光照条件中通过增加采光效率来提高相片质量。另外，即使使用更大光圈，传感器的显微透镜角度响应性能依然能够提供优异的相片分辨率和清晰度。
图像传感器市场增长点正在从ccd(光电荷耦合器件)转变为基于cmos的传感器。当前，在数字成像产品领域，由于图片质量较高，ccd技术主宰着传感器市场。而与ccd技术相比，cmos技术具有低能耗、高集成度和低生产成本等对客户来说极其重要的优势。特别是，ibm的制造技术路线图能够生产其尺寸和性能规格接近当今ccd的cmos图像传感器。
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