摘要80年代中期以来，eprom的容量每两年翻一番。通用e2prom与eprom相比，具有价格低、擦除简单等优点，但由于每个存储单元有两只晶体管，开发大容量e2prom是非常困难的。用2um工艺制作的两管e2prom的最大容量为64kb。masupka等人利用只有1只晶体管的e2prom单元和新的擦除/编程电路技术及高速灵敏度放大器，于1987年报道了第一块256kb闪速e2prom(即闪速存储器)。之所以称为闪速，是因为它能同时、快速地擦除所有单元。表1比较了第一块闪速存储器与eprom、一次编程prom、e2prom的性能。
内容1　引　言
　　80年代中期以来，eprom的容量每两年翻一番。通用e2prom与eprom相比，具有价格低、擦除简单等优点，但由于每个存储单元有两只晶体管，开发大容量e2prom是非常困难的。用2um工艺制作的两管e2prom的最大容量为64kb。masupka等人利用只有1只晶体管的e2prom单元和新的擦除/编程电路技术及高速灵敏度放大器，于1987年报道了第一块256kb闪速e2prom(即闪速存储器)。之所以称为闪速，是因为它能同时、快速地擦除所有单元。表1比较了第一块闪速存储器与eprom、一次编程prom、e2prom的性能。

表1　闪速存储器、eprom、一次编程prom、e2prom的性能对比
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　uv-eprom一次编程prom双管e2prom闪速存储器
封装窗口陶瓷封装塑封塑封塑封
擦除时间20min不可擦除1ms100us
编程时间＜1ms＜1ms＜1ms100us
单元面积/um2646427064
芯片面积/mm232.932.99832.9
可靠性筛选方法非筛选筛选筛选
擦除方法紫外线不能擦除电可擦除电可擦除
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　　常规的紫外线擦除eprom由于采用陶瓷封装，需要一个擦除窗口，所以价格比较高，而且擦除时需要在紫外光下照射20分钟。一次编程prom在编程后就不能再擦除。由于常规e2prom每个单元中有两只晶体管，所以单元面积很大，用2um设计规则设计的256kbe2prom的面积至少达98mm2。闪速存储器的单元面积仅为常规e2prom的1/4，所以容量可以做得很大，闪速存储器是要求存储器容量不断扩大的产物。
　　1989年报道了1mb的闪速存储器，采用以eprom工艺为基础的cmos工艺，单元面积为15.2um2，存取时间为9ns，片擦除时间为900ms，编程速度为10μs/字节，芯片面积为5.74mmx6.75mm，表2给出了主要的器件参数。

表2　1mb闪速存储器的主要参数
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工　艺单　元纵向尺寸器　件
1.0um光刻面积3.8um×4umtox=25nm芯片面积：38.8um2
2层多晶隧道氧化层：10nm有效n+p=0.9um组织结构：128k×8
n阱读出电流＝95uaxjn=0.3um存取时间：90ns
　擦除时间＝900msxjp=0.6um功耗：8ma
编程时间＝100us/字节静态功耗：4ua
封装：32pin陶瓷
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　　1994年，atsumi等人报道了用0.6um、三阱、双层多晶硅、单铝cmos工艺制作的16mb闪速存储器，存储时间为73ns，编程速度为10us/字节，单元尺寸为2.0um×1.7um，芯片面积为17.32mm×7.7mm。
　　近几年，采用0.4um工艺的64～128mb闪速存储器已大量报道。采用0.25um工艺的闪速存储器也已问世，工作电压为2.5v，芯片面积为105.9mm2。本文主要论述闪速存储器的原理及技术动向。
2　闪速存储器的工作原理
2.1　单元的工作原理
　　主要有两种技术来改变存储在闪速存储器单元的数据：沟道热电子注入(che)和fowler-nordheim隧道效应(fn隧道效应)。所有的闪速存储器都采用fn隧道效应来进行擦除。至于编程，有的采用che方法，有的采用fn隧道效应方法。表3给出了几家主要闪速存储器厂家的存储单元性能。

表3　典型的闪速存储器单元性能
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厂　家技　术擦除编程读延迟耐久性擦除时间电源电压/v编程和擦除电压/v工作温度/℃
amdnorfnche90ns10万次1s55-40～85
atmeleepromfnche3.3us10万次10ms2.7，52.7，5-40～85
日立andfnfn5us1万次125us3.33.30～70
intelnorfnche85ns10万次1s2.7，53.3，5，12-40～85
macronixnorfnche100ns1万次50ms550～70
nexcomeepromfnfn850ns10万次2.5ms2.7，52.7，5-40～85
三星nandfnfn10us100万次5ms3.33.3-40～85
夏普norfnche80ns10万次600ms2.7，55-40～85
东芝nandfnfn225us1万次7ms550～70
xicoreepromfnfn1us10万次10ms1.8，2.7，51.8，2.7，5-40～85
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　　由于在che注入过程中，浮栅下面的氧化层面积较小，所以对浮栅下面的氧化层损害较小，因此其可靠性较高，但缺点是编程效率低，fn法用低电流进行编