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摘要：k9f6408系列是8m×8bit的nand型闪速存储器。它以其快速读写循环，数据硬件保护，可擦除，i/o口命令/地址/数据线复用和接口便利等特点，正成为大型数据如语音、数字图像、文件等系统数据的载体。本文给出了k9f640800a与单片机p87c52的硬件连接电路及闪速存储器操作的软件应用程序。

关键词：flash 存储器；扇区；操作；应用程序

1、概述

存储器是计算机外围产品的重要组成部分，在经历了rom, prom和 eprom和 如今已到了闪速存储器(flash memory)的时代。flash存储器以其低成本，高可靠性的读写，非易失性，可擦写性和操作简便而成为一系列程序代码（应用软件）和数据（用户文件）存储的理想媒体，从而受到到嵌入式系统开发者的欢迎。

flash存储器的应用范围极广，从现代计算机优盘到嵌入式系统中取代 的地位，可谓占尽风流。正因为flash的应用广泛，了解和掌握flash的相关操作和管理技术就极为重要。大致说来flash操作包括：检错（对flash内部坏扇区的检测）、写操作（写入数据）、读操作（从flash中读出数据）、空间管理和擦除操作。在系统中我们选用at87c52单片机，它有24个i/o口，其中8个作为有特殊功能的i/o口，因此只剩16个i/o口可供一般的输入/输出使用。我们选用k9f640800a闪存的主要原因是它能节约i/o口，即它的地址线和数据线可复用。而其他许多闪存的地址线和数据线是分开使用的。因此，本文以samsung公司的k9f640800a为例，介绍flash的操作技术。

2、k9f640800a芯片的性能特点：

·供电电压：2.7v～3.6v
·该芯片容量为66mbits，由1024块组成，每块又由16页组成，一页共有（512＋16）×8bit。使用64mbits,另外还有2mbits的闲置储存空间。
·写和读以页为单位，而擦除以块为单位。读、写和擦除操作均通过命令完成，非常方便。（参见图3）
·此芯片可擦写1百万次，掉电数据不丢失，数据可保存十年。
·有8位串行口，且可复用，既可作为地址和数据的输入/输出引脚，又可作命令的输入引脚，根据时序采用分时循环。（见时序图5）
·写入每页的时间为200us，平均每写一个字节约400ns，即约20mb/s。
·该flash的每一个扇区又分为三个区（256字节，256字节和16字节），如果需要对这三个区独立操作，则通过00h,01h和50h命令分别选中。（参见图3）
·快速的读写循环和数据硬件保护。

引脚分布、功能及操作命令如图1所示：

3、p87c52与k9f6408u0a的应用电路

我们设计了一个系统，所需实现的功能是，由p87c52单片机将接收到的gps芯片发送的数据，按一定的格式处理后，存储到flash芯片上。当上位机发出读命令时，p87c52再从flash中取出数据，发给上位机。在此，我们给出了k9f6408u0a的flash芯片与p87c52单片机连接图（图2)。

4、k9f6408u0a的软件编程

k9f6408u0a的软件编程是采用c语言中嵌入汇编来完成。主要包括：flash扇区检错，读，写，擦除和管理flash空间。

1）检错：刚出厂的flash中可能存在坏扇区，用久的flash好扇区也可能变坏。为了保证读写数据的可靠性，必须对flash扇区进行检测。flash扇区的好坏标志存在于第3区中的第6 column, 若扇区已坏，则标志位数据不是ffh。设置一错误扇区的表，扫描检错flash，将坏扇区的号依次填入表中，将此表保存于flash存储器中的第一个块中（因为samsung确保第一个块能正确使用）。流程图(图四)：

2）读flash：flash 分三个区，命令0x00,0x01和0x50可分别读取第一，二，三区中的数据。

过程为：选中flash,通过i/o口写入读命令字，写入所读数据地址，置读信号有效（下跳沿有效）。
（读写）时序图如下：

具体程序如下：

void flashread()
{
unsigned char d;
flash_ce=0; file://片选
writecommand(0x00); file://写读的命令
writeaddress(0x00,0); file://写读的地址
for(d=0;d!=2;d++) file://一次读两页
{
uint k=528; file://每个扇区有528个字节
while(!flash_rb)//当读信号无效时，等待
{
}
while(k) file://当k不为0