基于闪烁存储器的TMS320VC5409DSP并行引导装载方法
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:369
摘要:闪烁存储器am29lv400b的主要特点及编程方法;通过把flash的前32k映射到dsp tms320vc5409的数据空间,按照自举表(boottable)的格式在flash中存储程序代码,由dsp引导装载(bootloader)程序实现了flash的16位并行引导装载;结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。 摘要:闪烁存储器am29lv400b的主要特点及编程方法;通过把flash的前32k映射到dsp tms320vc5409的数据空间,按照自举表(boottable)的格式在flash中存储程序代码,由dsp引导装载(bootloader)程序实现了flash的16位并行引导装载;结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。
关键词:dsp 闪烁存储器 引导装载 tms320vc5409是ti公司推出的新一代的高性能、低价位、低功耗数字信号处理器(dsp)。与现在流行的tms320c5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了50%。它的应用对象大多是要求能脱机运行的内嵌式系统,如机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)和数字无线通信等。闪烁存储器(flash memory)是可以在线电擦写、掉电后信息不丢失的存储器。flash与eprom相比,具有更高的性能价格比,而且体积小、功耗低、擦写速度快、使用比较方便。因此,采用flash存储程序和固定数据是一种比较好的选择。amd公司的am29lv400b flash可以直接与dsp相接。 1 am29lv400b的主要特点及编程方法
am29lv400b是amd公司新推出的256k×16位产品,具有以下主要特点:
(1)支持单电源操作,可分为满负荷电压供电(2.7v~3.6v)和电压范围可调节(3.0v~3.6v)供电两种方式。满幅度电压供电方式主要用于电池供电的应用中,而电压范围可调节供电方式直接与3.3v的高性能dsp接口,简化了系统的电源要求。
(2)最快的存取速度高达55ns,cmos工艺,具有100000次写入/擦写寿命。
(3)低功耗(200na的自动休眠电流,200na的待命电流,7ma的读电流,15ma的编程/擦除电流)。
(4)灵活的块结构支持整片擦除、块擦除。整片分为11个块(1块8k字、2块4k字、1块16k字、7块32k字)。
(5)块保护功能,具有防止对任何区段进行编程或擦除的硬件保护机制。
(6)与jedec标准兼容,引脚分布和命令集与单电源flash相兼容,具有优越的防止意外编程的保护功能。
(7)数据查询位和数据切换位,可以通过软件方法检测编程/擦除操作的状态。
(8)ready/busy#管脚,可以通过硬件方法检测编程/擦除操作的状态。
(9)具有擦除暂停/擦除恢复功能。在暂停擦除操作过程中,支持读写不处于擦除状态的块。
(10)内嵌的擦除/编程算法能自动对整个芯片或某几个块进行擦除编程操作。
am29lv400b编程和擦除算法的命令定义如表1所示。
操作命令序列
周期
1
2
3
4
5
6
地址
数据
地址
数据
地址
数据
地址
数据
地址
数据
地址
数据
读
1
ra
rd
复位
1
xxx
f0
片擦除
6
555
aa
2aa
55
555
80
555
aa
2aa
55
555
10
关键词:dsp 闪烁存储器 引导装载 tms320vc5409是ti公司推出的新一代的高性能、低价位、低功耗数字信号处理器(dsp)。与现在流行的tms320c5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了50%。它的应用对象大多是要求能脱机运行的内嵌式系统,如机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)和数字无线通信等。闪烁存储器(flash memory)是可以在线电擦写、掉电后信息不丢失的存储器。flash与eprom相比,具有更高的性能价格比,而且体积小、功耗低、擦写速度快、使用比较方便。因此,采用flash存储程序和固定数据是一种比较好的选择。amd公司的am29lv400b flash可以直接与dsp相接。 1 am29lv400b的主要特点及编程方法
am29lv400b是amd公司新推出的256k×16位产品,具有以下主要特点:
(1)支持单电源操作,可分为满负荷电压供电(2.7v~3.6v)和电压范围可调节(3.0v~3.6v)供电两种方式。满幅度电压供电方式主要用于电池供电的应用中,而电压范围可调节供电方式直接与3.3v的高性能dsp接口,简化了系统的电源要求。
(2)最快的存取速度高达55ns,cmos工艺,具有100000次写入/擦写寿命。
(3)低功耗(200na的自动休眠电流,200na的待命电流,7ma的读电流,15ma的编程/擦除电流)。
(4)灵活的块结构支持整片擦除、块擦除。整片分为11个块(1块8k字、2块4k字、1块16k字、7块32k字)。
(5)块保护功能,具有防止对任何区段进行编程或擦除的硬件保护机制。
(6)与jedec标准兼容,引脚分布和命令集与单电源flash相兼容,具有优越的防止意外编程的保护功能。
(7)数据查询位和数据切换位,可以通过软件方法检测编程/擦除操作的状态。
(8)ready/busy#管脚,可以通过硬件方法检测编程/擦除操作的状态。
(9)具有擦除暂停/擦除恢复功能。在暂停擦除操作过程中,支持读写不处于擦除状态的块。
(10)内嵌的擦除/编程算法能自动对整个芯片或某几个块进行擦除编程操作。
am29lv400b编程和擦除算法的命令定义如表1所示。
操作命令序列
周期
1
2
3
4
5
6
地址
数据
地址
数据
地址
数据
地址
数据
地址
数据
地址
数据
读
1
ra
rd
复位
1
xxx
f0
片擦除
6
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2aa
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