非易失性铁电存储器(fram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(mb)fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封(tsop)的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态ram(sram)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。

产品特点

　　fm22l16是256k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (no delay)写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14(100万亿)次写入和10年的数据保存能力。

　　这种4mb fram是标准异步sram完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时不需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。fm22l16是真正的表面安装解决方案，与sram不同的是它不再需要电池而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。

fm22l16备有便于与现今高性能微处理器相连的接口，兼具高速页面模式，可以高达40mhz的速度进行4字节burst读/写操作，这比普通ram的总线速度高出很多。该器件较标准sram具有更低的工作电流，读/写操作时为18ma，在超低电流睡眠模式下仅为5ua。fm22l16在整个工业温度范围内(-40℃至+85℃)于2.7v至3.6v电压工作。

价格和现货

fm22l16的工程样件现已提供，并计划在2007年第三季限量供应，第四季开始量产。该器件采用符合rohs要求的44脚tsop-ii封装，订购10,000件的起价为19美元。