nvsram可作为快速非易失性存储器的替代产品。与需要备用电池的sram相比，nvsram能够减少板卡占用空间并简化设计，而且其经济性和可靠性都要优于磁性存储器(mram)或铁电存储器(fram)。这款新产品是赛普拉斯的nvsram系列中的最新产品，该系列还包括当前批量生产发运的256k和1mbit nvsram型号的器件。预计，这一系列在2008年上半年还会再推出新产品。

　　这款新4-mbit nvsram产品首次采用赛普拉斯s8 0.13微米sonos(硅氮氧化物硅)嵌入式非易失性存储器技术制造的产品，实现了更高的密度，缩短了存取时间并提高了性能。作为sonos工艺技术的领先者，赛普拉斯将在下一代psoc混合信号阵列、ovationons激光导航传感器、可编程时钟和其它产品中应用该项技术。sonos对标准cmos技术具有极高的兼容性，并具备了高耐用性、低功率和耐辐射性等众多优点。