海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:512
z-ram最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片，如移动芯片组、微处理器、 网络和其他消费应用。2005年12月amd首次获得该项技术授权，将这项技术应用于微处理器设计。目前此次与hynix的合作，使z-ram成为超过300亿美元的存储器市场中成本最低的存储器技术。
“ z-ram保证提供一种在纳米工艺上制造高密度dram的最佳方法，” 海力士研发部副总裁sung-joo hong说。“以isi的 z-r
am创新为基础，我们看到了开创全新产品平台的潜力，这将帮助我们继续保持和扩展在存储器市场中所处的领先地位。”
“ 海力士决定与isi的合作是对我们z-ram存储技术的实力和商业效益的进一步肯定，尤其是海力士是存储器芯片市场的主导者，它的产品被广泛应用于多种电子设备中，如个人电脑、服务器、工作站、显卡以及手持设备，如手机、mp3播放器和数码相机等，”isi首席执行官mark-eric jones说。“采用isi的z-ram技术制成的存储器芯片尺寸更小，成本更低。我们期待着与海力士在下一代dram芯片中的合作，从而为最终用户带来极大的性能和可用性方面的优势。”
isi营销副总裁jeff lewis说：“我们相信这是isi和hynix的重要里程碑。z-ram将对dram的设计和制造产生深远影响。由于2006年dram产业产品销售超过330亿美元，这样的发展将显著地影响到整个电子行业。”
isi的z-ram与目前标准dram和sram（静态存储器）方案不同，因为其单晶体管(1t)位单元结构是全球最小的存储单元，这使其成为全世界密度最高、成本最低的半导体存储方案。通过采用绝缘体上硅结构(soi)晶圆，z-ram的单晶体管存储位单元可利用电路制造中发现的浮体效应(fbe）而变成现实。此外，因为z-ram是利用了soi自然产生的效应，在存储位单元内无须通过改变外在工艺来构建电容或其它复杂结构。
z-ram最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片，如移动芯片组、微处理器、 网络和其他消费应用。2005年12月amd首次获得该项技术授权，将这项技术应用于微处理器设计。目前此次与hynix的合作，使z-ram成为超过300亿美元的存储器市场中成本最低的存储器技术。
“ z-ram保证提供一种在纳米工艺上制造高密度dram的最佳方法，” 海力士研发部副总裁sung-joo hong说。“以isi的 z-r
am创新为基础，我们看到了开创全新产品平台的潜力，这将帮助我们继续保持和扩展在存储器市场中所处的领先地位。”
“ 海力士决定与isi的合作是对我们z-ram存储技术的实力和商业效益的进一步肯定，尤其是海力士是存储器芯片市场的主导者，它的产品被广泛应用于多种电子设备中，如个人电脑、服务器、工作站、显卡以及手持设备，如手机、mp3播放器和数码相机等，”isi首席执行官mark-eric jones说。“采用isi的z-ram技术制成的存储器芯片尺寸更小，成本更低。我们期待着与海力士在下一代dram芯片中的合作，从而为最终用户带来极大的性能和可用性方面的优势。”
isi营销副总裁jeff lewis说：“我们相信这是isi和hynix的重要里程碑。z-ram将对dram的设计和制造产生深远影响。由于2006年dram产业产品销售超过330亿美元，这样的发展将显著地影响到整个电子行业。”
isi的z-ram与目前标准dram和sram（静态存储器）方案不同，因为其单晶体管(1t)位单元结构是全球最小的存储单元，这使其成为全世界密度最高、成本最低的半导体存储方案。通过采用绝缘体上硅结构(soi)晶圆，z-ram的单晶体管存储位单元可利用电路制造中发现的浮体效应(fbe）而变成现实。此外，因为z-ram是利用了soi自然产生的效应，在存储位单元内无须通过改变外在工艺来构建电容或其它复杂结构。
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