RAMTRON扩展VERSA 8051产品系列推出2KB铁电存储器微控制器
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:345
f-ram和ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram 以8051为基础的微控制器 (mcu) -- vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。
ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种
别具成本效益的替代方案。”
f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储
f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。
vrs51l3072将2kb f-ram与完全集成的高性能系统级芯片 (system-on-chip)相结合,其特性包括40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb flash、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展功能及稳健的数字外围设备。vrs51l3072在整个工业温度范围内以3.3v电压工作,是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。
ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种
f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储
f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。
vrs51l3072将2kb f-ram与完全集成的高性能系统级芯片 (system-on-chip)相结合,其特性包括40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb flash、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展功能及稳健的数字外围设备。vrs51l3072在整个工业温度范围内以3.3v电压工作,是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。
f-ram和ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram 以8051为基础的微控制器 (mcu) -- vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。
ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种
别具成本效益的替代方案。”
f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储
f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。
vrs51l3072将2kb f-ram与完全集成的高性能系统级芯片 (system-on-chip)相结合,其特性包括40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb flash、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展功能及稳健的数字外围设备。vrs51l3072在整个工业温度范围内以3.3v电压工作,是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。
ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种
f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储
f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。
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