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　　非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位 (mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram (sram) 管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。

　　ramtron 全球市场策划部经理duncan bennett称：“这是ramtron与德州仪器 (ti) 合作推出的第二款高密度性能超群的f-ram器件，是f-ram存储器系列的新一代产品。fm21l16提供了能替代mram、电池支持sram (bbsram) 及nvsram且别具成本优势的解决方案。除了低成本及小尺寸封装之优势外，f-ram较之于mram消耗更少的工作功耗与待机功耗，并且毋需像bbsram与nvsram那样，需要使用后备电池或板载电容器来备份数据。”

fm21l16特点

　　fm21l16是128k x 16 非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。

　　2mb f-ram是标准异步sram的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的sram不同，fm21l16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。

　　fm21l16具备能与当前高性能微处理器相连的工业标准并行接口，兼具高速页面模式，能够实现每秒80兆字节的峰值带宽，是市场上速度最快的非易失性存储器方案之一。该器件较标准sram具有更低的工作电流，读/写操作时为18ma，在超低电流睡眠模式下仅为5ua。fm21l16在整个工业级温度范围内 (-40℃至 +85℃) 于2.7至3.6v电压下工作。

供货

　　采用符合rohs要求44脚tsop-ii封装的fm21l16现已提供样品。