位置:51电子网 » 技术资料 » 接口电路

单片机外部接口分析与存储器扩展

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:369

tms320f2812是德州仪器(ti)公司专门为工业应用而设计的新一代dsp处理器,它的性能大大优于当前广泛使用的tms320lf240x系列。该芯片为32位定点dsp,最高主频150 mhz,最小指令周期6.67 ns,外部采用低频时钟,通过片内锁相环倍频;相对于tms320lf2407只能寻址192 kb地址空间,该芯片的外部接口最多可寻址4 mb的空间;有3个独立的片选信号,并且读/写时序可编程,兼容不同速率的外设扩展;通过配置外部接口寄存器,在访问外部设备时不必额外增加延时等待,既提高了程序的实时性又减少了代码量。因此,灵活掌握和使用外部接口,对于dsp系统开发有很大帮助。本文结合实际系统,分析tms320f2812外部接口的时序,设计了外部存储器扩展电路,根据所用的存储器芯片设置了接口时序,并提供了相关的电路原理图和外部接口时序配置的程序。

1 tms320f2812外部接口的特点

tms320f2812外部接口(xintf)采用异步非复用模式总线,与c240x外部接口类似,但也作了改进:

① tms320lf240x系列,程序空间、数据空间和i/o空间都映射在相同的地址(0000~ffff),最大可寻址192 kb,对它们的访问是通过不同的指令来区分的,例如可用in或out指令访问外部i/o空间;而在tms320f2812中,外部接口被映射到5个独立的存储空间xzcs0、xzcs1、xzcs2、xzcs6、xzcs7,每个存储空间具有独立的地址,最多可寻址4 mb。

② tms320f2812中,有的存储空间共用1个片选信号,如zone0和zone1共用xzcs0and1,zone6和zone7共用xzcs6and7。各空间均可独立设置读、写信号的建立时间、激活时间及保持时间。

对任何外部空间读/写操作的时序都可以分成3部分:建立、激活和保持,时序如图1和图2所示。在建立(lead)阶段,访问存储空间的片选信号变为低电平并且地址被送到地址总线(xa)上。默认情况下该阶段的时间设置为最大,为6个xtimclk周期。在激活(active)阶段,对外部设备进行读写,相应的读写信号(xrd和xwd)变为低电平,同时数据被送到数据总线(xd)上。默认情况下读写该阶段的时间均设置为14个xtimclk周期。跟踪(trail)阶段是指读写信号变为高电平,但片选信号仍保持低电平的一段时间周期,默认情况下该阶段时间设置为6个xtimclk周期。因此,在编程时要根据外部设备的接口时序来设置xintf的时序,从而正确地对外设读写。

2 扩展存储器硬件设计

2.1 外部存储器与tms320f2812的接口电路设计

tms320f2812内置18 kb ram。为了使用方便,本系统又扩展了256 kb saram,芯片选用is61lv25616(256k×16位),其数据访问时间为10 ns。由于tms320f2812采用统一寻址方式,因此扩展的saram既可以作程序存储器也可以作数据存储器。同时,为了保存掉电不丢失的数据,扩展了32 kbeeprom,选用at28lv256,32k×8位,用2片组成32k×16位。外扩存储器与tms320f2812的接口电路如图3所示,将saram分配在zone2,地址范围为0x80000~0xbffff,片选信号与tms320f2812的xzcs2相连。eeprom分配在zone6,地址范围为0x10000~0x107fff,片选信号xzcs6and7。



tms320f2812是德州仪器(ti)公司专门为工业应用而设计的新一代dsp处理器,它的性能大大优于当前广泛使用的tms320lf240x系列。该芯片为32位定点dsp,最高主频150 mhz,最小指令周期6.67 ns,外部采用低频时钟,通过片内锁相环倍频;相对于tms320lf2407只能寻址192 kb地址空间,该芯片的外部接口最多可寻址4 mb的空间;有3个独立的片选信号,并且读/写时序可编程,兼容不同速率的外设扩展;通过配置外部接口寄存器,在访问外部设备时不必额外增加延时等待,既提高了程序的实时性又减少了代码量。因此,灵活掌握和使用外部接口,对于dsp系统开发有很大帮助。本文结合实际系统,分析tms320f2812外部接口的时序,设计了外部存储器扩展电路,根据所用的存储器芯片设置了接口时序,并提供了相关的电路原理图和外部接口时序配置的程序。

1 tms320f2812外部接口的特点

tms320f2812外部接口(xintf)采用异步非复用模式总线,与c240x外部接口类似,但也作了改进:

① tms320lf240x系列,程序空间、数据空间和i/o空间都映射在相同的地址(0000~ffff),最大可寻址192 kb,对它们的访问是通过不同的指令来区分的,例如可用in或out指令访问外部i/o空间;而在tms320f2812中,外部接口被映射到5个独立的存储空间xzcs0、xzcs1、xzcs2、xzcs6、xzcs7,每个存储空间具有独立的地址,最多可寻址4 mb。

② tms320f2812中,有的存储空间共用1个片选信号,如zone0和zone1共用xzcs0and1,zone6和zone7共用xzcs6and7。各空间均可独立设置读、写信号的建立时间、激活时间及保持时间。

对任何外部空间读/写操作的时序都可以分成3部分:建立、激活和保持,时序如图1和图2所示。在建立(lead)阶段,访问存储空间的片选信号变为低电平并且地址被送到地址总线(xa)上。默认情况下该阶段的时间设置为最大,为6个xtimclk周期。在激活(active)阶段,对外部设备进行读写,相应的读写信号(xrd和xwd)变为低电平,同时数据被送到数据总线(xd)上。默认情况下读写该阶段的时间均设置为14个xtimclk周期。跟踪(trail)阶段是指读写信号变为高电平,但片选信号仍保持低电平的一段时间周期,默认情况下该阶段时间设置为6个xtimclk周期。因此,在编程时要根据外部设备的接口时序来设置xintf的时序,从而正确地对外设读写。

2 扩展存储器硬件设计

2.1 外部存储器与tms320f2812的接口电路设计

tms320f2812内置18 kb ram。为了使用方便,本系统又扩展了256 kb saram,芯片选用is61lv25616(256k×16位),其数据访问时间为10 ns。由于tms320f2812采用统一寻址方式,因此扩展的saram既可以作程序存储器也可以作数据存储器。同时,为了保存掉电不丢失的数据,扩展了32 kbeeprom,选用at28lv256,32k×8位,用2片组成32k×16位。外扩存储器与tms320f2812的接口电路如图3所示,将saram分配在zone2,地址范围为0x80000~0xbffff,片选信号与tms320f2812的xzcs2相连。eeprom分配在zone6,地址范围为0x10000~0x107fff,片选信号xzcs6and7。



相关IC型号

热门点击

 

推荐技术资料

耳机放大器
    为了在听音乐时不影响家人,我萌生了做一台耳机放大器的想... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!