德州仪器(ti)推出的tps79918低压差(ldo)线性调节器为新的intel strataflash嵌入式存储器(p30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm strataflash嵌入式存储器(j30)转向它的第四代130nm strataflash嵌入式存储器(p30)。这个从j3 到 p30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流，因为p30 vcc电压需求降低到了1.8伏。英特尔也推荐用一个ldo线性调节器来提供1.8伏的电压基准。

tps79918的特性

　　tps79918 ldo在一个小的封装内提供了外部电气特性。它具有高(大于66db)电源电压抑制比(psrr)、低噪声、快起动和极好的线荷载瞬态响应。在全负载时，它只消耗40μa的地电流。运行中不需要输入电容。tps79918是用一个很小的陶瓷输出电容保持稳定的，用一个高级的bicmos制造过程在200ma全输出负载的情况下得到一个110mv的压差。

　　对于所有负载、线、过程和温度变化，它的精密电压参考和反馈回路达到2%的全精确度。可选降噪电容的增加，提供了一个极低噪声输出电压。它要求tj从－ 40°c 到 +125°c，有三种封装方式：thinsot-23, 晶圆级芯片封装(wcsp), 以及 2×2 son-6。三种封装方式的不同在于大小和能量消耗。如果我们假设周围温度为60°c，三种封装的能量消耗分别为142 mw, 156 mw,和 526 mw。这分别与最大连续负载电流119 ma, 130 ma, and 438 ma相符合。

　　图1表明了tps79918的内部结构图。高电平有效的使能信号在输入电压高于欠压锁定(uvlo)门限时，将器件打开。uvlo确保输入电压可以得到，输入电压提供了一个干净的开启波形。ic保证电流限和热关断保护，以避免系统出问题。内部的500 的电阻，以及一个在nr探头上的外部的降噪电容，提供了一个rc滤波器以降低带隙噪声，这就导致了低噪声输出电压。快启开关最初使电阻短路，以便使开启时间加快到40-μs。在重负载使输出电压降低到一个轻负载的瞬间，由于有超调检测电路，ic具有很好的瞬态响应。

英特尔strataflash嵌入式存储器(p30)的要求

　　将现有的j3存储器系统转为到新的p30的存储器，需要将现有的3.0v核心电压降低到1.8 v。1.8v的核心电压需要在±0.1v范围之内调整，这可以通过tps79918的2%的电压允许偏差来保证。ldo很好的保证了由ce#和oe#的上升沿和下降沿所引起的负载瞬态量。

　　图2表明甚至在从1到50ma的负载瞬态变化时，输出电压只降低了40 mv。这个性能满足了p30存储器输入电压的需求。考虑到系统性能要求，英特尔的操作说明书警告设计者既要考虑备份电流，又要考虑工作电流。图3表明，不像有些ldo，tps79918的低静态电流在输入电压和负载电流变化的时候是常数。对于便携式的产品，低静态电流延长了电池的使用寿命。

　　图4表明tps79918为p30存储器模块供电的简易。唯一的必要元件是ldo本身和它的输出电容。输入电容只有在3.0v的输出电容并不是挨着ldo的时候才会用到。降噪电容只有为噪声敏感元件供电的时候才需要，因此，在这种产品中不需要降噪电容。

　　从表1中可以看到，英特尔为它的strataflash嵌入式存储器(p30)特别了推荐ti ldo。这些ldo满足新的p30存储器的电气和温度需求。

结论

　　ti tps79918 ldo与英特尔的下一代strataflash嵌入式存储器(p30)很相配。三种封装方式可以使设计者最好的确定其大小，而且ldo的电气特性满足系统需求，即低备份电流、瞬态响应、最大电流。