三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:381
今日，三星公司对外宣布，他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16gb nand闪存设备。该多层核心（mlc）的设计采用了一个4kb的页值，而非竞争产品中所采用的2kb。正因为此，新型设备的读速度比以2kb设计方式的设备要快一倍，写速度快50%。
三星50nm 16gb nand闪存芯片
当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（ssd）技术，以替代现有高速运转盘，从而降低应用程序加载的时间。
统硬盘相比，ssd响应快速，无需等待硬盘进行转动寻道等操作，并且也相应地降低了功耗。当未被访问时，ssd功耗为0瓦特，而在进行读写等活动时，其功耗仅为200毫瓦特。
传统硬盘是否面临“灭顶之灾”？
满足现在愈来愈强烈的低功耗要求，索尼和富士等公司纷纷将目光投向了三星，希望三星能为他们的移动计算机产品提供ssd。三星在q30笔记本和q1 umpc上均使用了它的ssd。
人士预测，不断增长的存储性能和更高的写入速度，将帮助三星在1008年上半年达到其生产128gb ssd的目标。
公司表示，它的新款mlc 16gb nand闪存芯片将于今年第一季度投入批量生产。
三星50nm 16gb nand闪存芯片
当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（ssd）技术，以替代现有高速运转盘，从而降低应用程序加载的时间。
统硬盘相比，ssd响应快速，无需等待硬盘进行转动寻道等操作，并且也相应地降低了功耗。当未被访问时，ssd功耗为0瓦特，而在进行读写等活动时，其功耗仅为200毫瓦特。
传统硬盘是否面临“灭顶之灾”？
满足现在愈来愈强烈的低功耗要求，索尼和富士等公司纷纷将目光投向了三星，希望三星能为他们的移动计算机产品提供ssd。三星在q30笔记本和q1 umpc上均使用了它的ssd。
人士预测，不断增长的存储性能和更高的写入速度，将帮助三星在1008年上半年达到其生产128gb ssd的目标。
公司表示，它的新款mlc 16gb nand闪存芯片将于今年第一季度投入批量生产。
今日，三星公司对外宣布，他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16gb nand闪存设备。该多层核心（mlc）的设计采用了一个4kb的页值，而非竞争产品中所采用的2kb。正因为此，新型设备的读速度比以2kb设计方式的设备要快一倍，写速度快50%。
三星50nm 16gb nand闪存芯片
当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（ssd）技术，以替代现有高速运转盘，从而降低应用程序加载的时间。
统硬盘相比，ssd响应快速，无需等待硬盘进行转动寻道等操作，并且也相应地降低了功耗。当未被访问时，ssd功耗为0瓦特，而在进行读写等活动时，其功耗仅为200毫瓦特。
传统硬盘是否面临“灭顶之灾”？
满足现在愈来愈强烈的低功耗要求，索尼和富士等公司纷纷将目光投向了三星，希望三星能为他们的移动计算机产品提供ssd。三星在q30笔记本和q1 umpc上均使用了它的ssd。
人士预测，不断增长的存储性能和更高的写入速度，将帮助三星在1008年上半年达到其生产128gb ssd的目标。
公司表示，它的新款mlc 16gb nand闪存芯片将于今年第一季度投入批量生产。
三星50nm 16gb nand闪存芯片
当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（ssd）技术，以替代现有高速运转盘，从而降低应用程序加载的时间。
统硬盘相比，ssd响应快速，无需等待硬盘进行转动寻道等操作，并且也相应地降低了功耗。当未被访问时，ssd功耗为0瓦特，而在进行读写等活动时，其功耗仅为200毫瓦特。
传统硬盘是否面临“灭顶之灾”？
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人士预测，不断增长的存储性能和更高的写入速度，将帮助三星在1008年上半年达到其生产128gb ssd的目标。
公司表示，它的新款mlc 16gb nand闪存芯片将于今年第一季度投入批量生产。
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