意法半导体公司(st)推出采用90nm工艺技术的128mbnand闪存器件――nand128w3a2bn6e。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、pda、机顶盒(stb)、打印机和各种闪存卡等消费类电子产品。据介绍，nand128是目前市场上唯一采用90nm工艺技术的128mb闪存。


nand128具有超快的数据吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址线和数据输入/输出信号在8位总线上复接，降低了引脚数量，允许使用标准组件的nand接口，使制造商能生产更高(或更低)容量的产品，而不用改变占位面积。

该公司提供的软件工具链有助于加快产品开发速度，并延长存储器芯片的使用时间。工具包括误差修正码(ecc)软件；用来识别和替代区块的坏区块管理(bbm)(在擦除或编程操作时，通过将数据复制到正确区块实现)；通过在所有区块分配“擦除和程序”(eraseandprogram)操作的wearleveling算法，以优化器件的使用年限；文件系统os参考软件，以及硬件仿真模型。

此存储器有1024个名义上16kb区块，每个能分成512b的页，每页有16个空余字节(b)，它能按页来读取和编程。空余字节可用作误差修正码(ecc)、软件标识或坏区块识别。“复制后程序”(copybackprogram)模式使得存储在一页的数据能直接编程到另外一页，而不需要外部缓冲，这种特性典型用来转移数据。如果页编程由于有缺陷区块而操作失败时，还提供区块指令，区块擦除时间2ms。每个区块有10万次编程和擦除，以及10年数据保存期。

该器件具备“chipenabledon’tcare”特性，简化了微控制器接口，并且使nand闪存与其它类型存储器(如nor闪存和sram)混合使用时更有效率。该器件出厂时标记唯一识别码，用户可编程序号增加了目标应用的安全性。

nand128w3a2bn6e的工作温度范围为-40℃至85℃，它采用无铅tsop48封装，现可批量供货，单片价格范围为4至4.5美元(仅供参考)。