m-systems与东芝半导体(toshiba)共同宣布，两家公司将针对手机与消费性电子装置提供diskonchip架构的新一代嵌入式高密度快闪磁盘(embedded flash drive，efd)－doc h3。doc h3可让装置设计者通过toshiba最新的“多层单元”(multi-level cell，mlc)nand闪存产品与m-systems内建于固体的trueffs快闪管理软件，整合符合成本效益的高密度嵌入式储存装置。
　　doc h3采用70纳米工艺的mlc nand闪存盘。toshiba与m-systems将产品配置从原本的单一设计，转变成多芯片设计，便可善用nand闪存技术的最新发展技术，并同时缩短doc的研发时程。而其改良式的架构设计，可降低整合软件解决方案的必要，并从内建控制器ic来管理nand快闪媒体，以缩短客户的产品研发周期。
　　m-systems与toshiba半导体表示，doc h3将程序代码和资料存于同一封包中，有助于使系统设计者将闪存技术轻易地导入嵌入式储存形式；未来双方也将继续合作推出技术先进且符合成本效益的nand快闪解决方案，以满足市场对高密度闪存与日遽增的需求。
　　doc h3将供应2gb(256mb)至16gb(2gb)的各种容量．