nec电子设备部开发成功cb-90系列单元基lsi。最小特征尺寸是0.09μm，采用栅长0.06μm的cmos方法和铜金属连线技术制造。准备制造的三种单元基lsi是：高速型cb-90h、高集成度型cb-90m和低功耗型cb-90l。它们的内部工作频率分别为500mhz～1ghz。最高频率为500mhz、最低为150mhz。
　　高集成度型cb-90m的逻辑门数最多达到1亿门。高速型cb-90h的门延迟时间为10.2ps（2个输入nand门，扇出数为2）。低功耗型cb-90l的功耗为2.7nw(每1mhz工作的门，电源电压1.0v)。与最小特征尺寸为0.130μm、栅长0.095μm的现行一代单元基lsi（cb-130系列）相比，门数增加约1.9倍，延迟时间缩短约2/3，功耗减少约40%。cb-90系列单元基lsi2003年3月开始接受订货，批量生产预定从第三季度开始。
　　lsi设计环境准备采用c语言的设计环境，支持系统设计到gdsii格式。
　　c语言设计环境与rtl为基础的设计方法相比，可使设计时间缩短大约一半。rtl为基础的设计方法从规格设计、硬件设计、软件设计、系统验证到系统评估， 需时大约14个月，而以c语言为基础的设计，可缩短到大约7个月。再者，应用c语言的设计环境，也可用于cb-130系列等的现行一代产品。
　　cb-90系列作为制造方法的设计基准，采用日本国内的标准方法共同开发企业aspla（尖端soc基础技术开发）的基准。据说，将来要使之能够纳入依据aspla的、用其他的asic bender的宏单元。