Ramtron推出1Mb 3V非易失性铁电存储器
发布时间:2007/9/6 0:00:00 访问次数:317
美国Ramtron公司近日宣布正式推出1Mb 3V非易失性铁电存储器(FRAM)——FM20L08。该器件为Ramtron公司最高密度的FRAM存储器，可提供无限次读写操作。该产品已设计用于替代标准异步SRAM，适用于在那些电源不稳定的系统中收集和存储数据，例如机顶盒、汽车信息系统(telematics)和工业设备。
这种非易失性存储芯片的结构容量为128K×8字节，访问时间60ns。这种高速页模式操作以最高33MHz的总线速度运行，无写入延迟，具备最大写入缓存。该器件工作电压为3.3V，操作电流低于标准的SRAM，因此功耗较低。FM20L08提供工业温度范围-40℃至+85℃和商业温度范围0℃至+70℃的产品。商用型的读写周期为150ns，工业型为350ns。
FM20L08现可提供32引脚TSOP封装样品，批量达10,000件时，起价为每片13.65美元(仅供参考)。该器件还将选用“绿色”无铅封装。
美国Ramtron公司近日宣布正式推出1Mb 3V非易失性铁电存储器(FRAM)——FM20L08。该器件为Ramtron公司最高密度的FRAM存储器，可提供无限次读写操作。该产品已设计用于替代标准异步SRAM，适用于在那些电源不稳定的系统中收集和存储数据，例如机顶盒、汽车信息系统(telematics)和工业设备。
这种非易失性存储芯片的结构容量为128K×8字节，访问时间60ns。这种高速页模式操作以最高33MHz的总线速度运行，无写入延迟，具备最大写入缓存。该器件工作电压为3.3V，操作电流低于标准的SRAM，因此功耗较低。FM20L08提供工业温度范围-40℃至+85℃和商业温度范围0℃至+70℃的产品。商用型的读写周期为150ns，工业型为350ns。
FM20L08现可提供32引脚TSOP封装样品，批量达10,000件时，起价为每片13.65美元(仅供参考)。该器件还将选用“绿色”无铅封装。
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