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深度内存以全采样率捕获长时间跨度从而获得预期测量/分析结果

发布时间:2024/9/14 0:01:11 访问次数:130

一种用于GaN(氮化镓)外延生长的300毫米(12英寸)衬底,QST 300mm晶圆具有与GaN相同的热膨胀系数 (CTE),避免了GaN外延层的翘曲和裂纹,从而提高了良率。在此之前,信越化学已经对外销售了150毫米(6英寸)和200毫米(8英寸)QST衬底以及QST外延衬底上的GaN。

封装层顶部的二氧化硅SiO2键合层允许单个晶体硅层形成外延GaN生长的成核层。

这种衬底材料可实现高质量和厚的GaN外延生长,并具有大直径。信越化学表示,客户正在评估用于功率器件、高频器件和LED的QST衬底和QST外延衬底上的GaN,并已进入数据中心电源的开发阶段。

可编程电阻在测试如电子控制器等设备时,常被设计用来模拟系统中的电阻性传感器和可变电阻。

40/42-254系列提供多种分辨率和电阻范围(从0.125Ω到8Ω的分辨率,从1Ω到395kΩ的范围),以满足大多数功能测试系统的需求。

为了增加测试覆盖范围,每个通道可以模拟系统中因接线或传感器故障而可能出现的短路或开路状况。

为了帮助确保长期准确性,可以将校准电缆组件连接到模块上,代替被测单元(UUT,unit-under-test),使用数字万用表(DMM)进行简单校准以验证电阻通道。

14-bit模数转换器(ADC)示波器InfiniiVision HD3系列,其信号分辨率是其他通用示波器的四倍以上,本底噪声不到后者的一半。HD3 系列经过全新设计,采用定制的专用集成电路(ASIC)和深度内存架构,使工程师能够在各种应用中快速检测和调试信号问题。

是德科技InfiniiVision HD3系列是一款14-bit ADC示波器,信号分辨率是其他通用示波器的四倍,本底噪声是其一半设备和元件的设计正变得越来越复杂,所使用的信号也越来越小。

深度内存能够以全采样率捕获长的时间跨度,从而获得预期的测量/分析结果。

深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com


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这种衬底材料可实现高质量和厚的GaN外延生长,并具有大直径。信越化学表示,客户正在评估用于功率器件、高频器件和LED的QST衬底和QST外延衬底上的GaN,并已进入数据中心电源的开发阶段。

可编程电阻在测试如电子控制器等设备时,常被设计用来模拟系统中的电阻性传感器和可变电阻。

40/42-254系列提供多种分辨率和电阻范围(从0.125Ω到8Ω的分辨率,从1Ω到395kΩ的范围),以满足大多数功能测试系统的需求。

为了增加测试覆盖范围,每个通道可以模拟系统中因接线或传感器故障而可能出现的短路或开路状况。

为了帮助确保长期准确性,可以将校准电缆组件连接到模块上,代替被测单元(UUT,unit-under-test),使用数字万用表(DMM)进行简单校准以验证电阻通道。

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