F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的EEPROM非易失性存储器。

与同类产品相比，产品的特点包括：更快的存储器随机存取速度；通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性；低功耗、极低的编程电压（低至2V）以及20mA最大工作电流。

F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。

主要特性

外形尺寸更小，使气流能够更好地流向PCB上的其他部件，同时节省宝贵的PCB空间.

弯式接头、弯式插座和直式插座提供共面和背板应用，提升设计灵活性.

大功率应用中，每个端子的电流高达75A；小功率应用中，每个端子的电流高达45A；信号端子提供出色的功率密度和电压及信号要求，满足关键的功率规格和各种应用的要求.

设计灵活可扩展，能够节省模具成本.

随着对小巧、高密度存储器的需求激增，Teledyne e2v强调其最新的存储器芯片能与当下所有高端太空处理组件兼容，其中包括AMD/Xilinx VERSAL® ACAP处理器、宇航级FPGA、MPSOC、Microchip RT PolarFire®以及众多的ASIC。

超快速、高密度的8GB宇航级DDR4存储器，具有与先前的4GB产品有相同的外形尺寸和管脚兼容性，是优化下一代星载开发应用的理想之选。

现代卫星的载荷按每分钟、每小时来存储和转换大量数据；诸如地球观测等任务都需要数十GB的存储空间。

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