发射器芯片技术VF温度系数达-1.0mV/K辐照强度和升降时间优于前代器件
发布时间:2024/9/4 8:25:39 访问次数:168
一种“受激发射”新型热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管，得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管，有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。
该工作开辟了晶体管器件研究的新领域，为热载流子晶体管家族增添了新成员，并有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中广泛应用。
此外，MC33774还具备车载无源电池平衡功能，通过自动选择最佳平衡序列，有效提高电池组的整体效率和使用寿命。
透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管--- TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达-1.0mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。
发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15ns，典型正向电压低至1.5V，半强角只有±10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。
Series 131迷你单列直插式（mini SIL）高压reed继电器是目前业内最小的高压继电器。
Pickering的高压隔离舌簧继电器非常适合多种应用，包括电动汽车（EVs）、高端电缆测试仪、背板测试仪、混合信号半导体测试仪、太阳能能源设备、在线电路测试设备以及高压仪器仪表等。这些继电器以其出色的性能和可靠性，成为了这些领域的理想选择。
在电池监测和保护方面，方案搭载NXP MC33774芯片，该芯片支持4~18串电池监测，能够进行高精度的电压、温度和电流测量，电芯电压检测精度可达±0.8mV，测量误差小于2mV。
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
一种“受激发射”新型热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管，得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管，有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。
该工作开辟了晶体管器件研究的新领域，为热载流子晶体管家族增添了新成员，并有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中广泛应用。
此外，MC33774还具备车载无源电池平衡功能，通过自动选择最佳平衡序列，有效提高电池组的整体效率和使用寿命。
透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管--- TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达-1.0mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。
发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15ns，典型正向电压低至1.5V，半强角只有±10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。
Series 131迷你单列直插式（mini SIL）高压reed继电器是目前业内最小的高压继电器。
Pickering的高压隔离舌簧继电器非常适合多种应用，包括电动汽车（EVs）、高端电缆测试仪、背板测试仪、混合信号半导体测试仪、太阳能能源设备、在线电路测试设备以及高压仪器仪表等。这些继电器以其出色的性能和可靠性，成为了这些领域的理想选择。
在电池监测和保护方面，方案搭载NXP MC33774芯片，该芯片支持4~18串电池监测，能够进行高精度的电压、温度和电流测量，电芯电压检测精度可达±0.8mV，测量误差小于2mV。
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