240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低导通电阻上升幅度
发布时间:2024/9/3 23:51:10 访问次数:93
这些特性使得多芯片时钟和SYSREF对齐精准且可预测。ADF4377频率合成器与一个负责分配成对参考和SYSREF信号的IC配合使用，即可支持JESD204B和JESD204C子类1解决方案。ADF4377集成了所有必要的电源旁路电容，节省了紧凑电路板上的占板面积。
产品也符合Class I 和Class II应用，允许在医院等专业医疗设施中使用，也可以在患者的家中或工作场所远程使用。
基于(GaN)技术，低损耗AQM系列可提供高达94%的效率，在待机模式下功耗小于150mW，符合能源效率VI级标准。该产品满载输出可达40C，温度达到60C时负载开始降额。
AQM200系列尺寸仅为6.56”x2.13”x1.3”（166.5x54.2x33.0毫米），所有AQM产品均采用IP22密封，表面光滑，便于安全擦拭。
七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。
电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。
在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件 相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
这些特性使得多芯片时钟和SYSREF对齐精准且可预测。ADF4377频率合成器与一个负责分配成对参考和SYSREF信号的IC配合使用，即可支持JESD204B和JESD204C子类1解决方案。ADF4377集成了所有必要的电源旁路电容，节省了紧凑电路板上的占板面积。
产品也符合Class I 和Class II应用，允许在医院等专业医疗设施中使用，也可以在患者的家中或工作场所远程使用。
基于(GaN)技术，低损耗AQM系列可提供高达94%的效率，在待机模式下功耗小于150mW，符合能源效率VI级标准。该产品满载输出可达40C，温度达到60C时负载开始降额。
AQM200系列尺寸仅为6.56”x2.13”x1.3”（166.5x54.2x33.0毫米），所有AQM产品均采用IP22密封，表面光滑，便于安全擦拭。
七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。
电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。
在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件 相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。
西旗科技（销售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
相关技术资料- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
- 5-10全新SRP5030HMT 屏蔽式功率电感系列
- 5-10SiC 模块、激光雷达、高精度传感器工作原理
- 5-10瑞芯微 RK3588M结构技术参数设计
- 5-10安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片发展趋势
- 5-10高端电源芯片和智能功率器件发展前景分析
- 5-10SerDes 芯片组 NLS9116 和 NLS9246探究
公网安备44030402000607
