全套测试功能和环回功能让实验室调试和生产测试更容易
发布时间:2024/8/28 12:25:28 访问次数:137
650V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。
Siliconix n沟道SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%,同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%,该参数是650V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)。
MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。
典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储;UPS;高强度放电(HID)灯和荧光镇流器;太阳能逆变器;焊接设备;感应加热;电机驱动;以及电池充电器。
主机侧接口支持扩展PCB覆盖范围,无需自定义每个通道的设置。
每个通道的独立锁相环支持灵活的分接配置,包括2x400G、4x200G和8x100G。
具有全套测试功能和环回功能,让实验室调试和生产测试更容易,缩短客户产品上市时间。
低功耗,可提高机架利用率、降低热冷却要求。
6A、20A和25A microBRICK®同步降压稳压器---SiC967、SiC931和SiC951,用来提高负载点(POL)转换器的功率密度和效率。Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mmx6.5mmx3mm封装,占位面积和高度均小于市场上此类器件,输入电压范围4.5V至60V。
4x50G跨阻放大器(TIA)芯片—— Teal 200,该芯片可用于QSFP56/QSFP-DD光模块及AOC,适用于AI及超大规模数据中心等具有高容量,低功耗需求的应用场景。
Teal 200支持使用50Gbps PAM-4调制的200Gbps SR4/DR4/FR4及400Gbps SR8/DR8/FR8应用。
深圳市金狮鼎科技有限公司https://lionfly.51dzw.com
650V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。
Siliconix n沟道SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%,同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%,该参数是650V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)。
MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。
典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储;UPS;高强度放电(HID)灯和荧光镇流器;太阳能逆变器;焊接设备;感应加热;电机驱动;以及电池充电器。
主机侧接口支持扩展PCB覆盖范围,无需自定义每个通道的设置。
每个通道的独立锁相环支持灵活的分接配置,包括2x400G、4x200G和8x100G。
具有全套测试功能和环回功能,让实验室调试和生产测试更容易,缩短客户产品上市时间。
低功耗,可提高机架利用率、降低热冷却要求。
6A、20A和25A microBRICK®同步降压稳压器---SiC967、SiC931和SiC951,用来提高负载点(POL)转换器的功率密度和效率。Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mmx6.5mmx3mm封装,占位面积和高度均小于市场上此类器件,输入电压范围4.5V至60V。
4x50G跨阻放大器(TIA)芯片—— Teal 200,该芯片可用于QSFP56/QSFP-DD光模块及AOC,适用于AI及超大规模数据中心等具有高容量,低功耗需求的应用场景。
Teal 200支持使用50Gbps PAM-4调制的200Gbps SR4/DR4/FR4及400Gbps SR8/DR8/FR8应用。
深圳市金狮鼎科技有限公司https://lionfly.51dzw.com