IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。

MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

反相放大器与生俱来的有个小缺陷，反相输入放大器的输入阻抗不是很高，而我们在电路设计中一般希望放大器的输入阻抗要高，这样放大器才不会从信号源吸收电流，才不会影响待放大信号以及对电路的放大结果产生影响。

根据运放“虚短虚断”的特点来分析下，同相输入端接地，电位为0，根据运放虚短的特点，运放的3脚同相输入端和4脚反相输入端的电位相等，所以4脚反相输入端的电位也为0电位。

运算放大器具有以下特点，当输出端不加电源电压时，正相输入端（+）和反相输入端（-)被认为施加了相同的电压，也就是说可以认为是虚短路。所以，当正相输入端(+)为0V时，A点的电压也为0V。

晶体管只有当基极-发射极被加载正向电压时才会工作，因此电阻（连接于集电极上的电阻）的两端得到的是被切掉了半边的、只有半波的输入信号整流波形（如果输入信号太小，甚至连此整流波形也无法得到）。结果，得到的是与输入波形相去甚远的波形。

虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。

由以上条件，对R2使用欧姆定律，则得出Vout=-I1xR2。I1为负是因为I2从电压为0V的点A流出。

换一个角度来看，当反相输入端（-)的输入电压上升时，输出会被反相，向负方向大幅度放大。由于这个负方向的输出电压经由R2与反相输入端相连，因此，会使反相输入端（-)的电压上升受阻。反相输入端和正相输入端电压都变为0V，输出电压稳定。

LM1117IDT-3.3/NOPB                                                

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