优化直接键合铜设计实现并联开关之间平衡电流共享和热分布
发布时间:2024/7/29 22:20:09 访问次数:95
1200V EliteSiC碳化硅M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800V电动汽车车载充电器和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。
这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度,采用优化的直接键合铜设计,实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度,适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)。
无风扇嵌入式媒体播放器EMP-510,该产品具有强大的边缘AI计算性能、丰富的I/O端口、灵活的扩展插槽、多显支持以及紧凑型的设计,可在空间有限的应用环境中部署。
EMP-510的I/O端口包括一个DB-9 COM端口,四个USB 3.0端口,双LAN端口和一个线路输入/输出接口。
该设备还支持全尺寸的mini-PCIe插槽、M.2 E-key 2230和SIM插槽作为扩展接口。此外,通过搭配Intel®Iris®Xe显卡,EMP-510支持多个显示,包括一个 DP 1.4(8K)和三个HDMI 2.0b(4K) ,让图像显示变得栩栩如生。
符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓(GaN)选项。
新器件采用PI的PowiGaN技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,并且无需散热片。更大的功率和更高的设计裕量特别适用于在基于400V母线系统的电动汽车中对12V电池进行替代。
所有InnoSwitch3-AQ器件均具有同步整流控制、波谷开通的非连续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)反激式控制器。FluxLink通信技术可使IC封装位于安规隔离带上,这样可省去光耦器并提高效率,从而增加电动汽车的续航里程和改善热管理。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
1200V EliteSiC碳化硅M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800V电动汽车车载充电器和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。
这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度,采用优化的直接键合铜设计,实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度,适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)。
无风扇嵌入式媒体播放器EMP-510,该产品具有强大的边缘AI计算性能、丰富的I/O端口、灵活的扩展插槽、多显支持以及紧凑型的设计,可在空间有限的应用环境中部署。
EMP-510的I/O端口包括一个DB-9 COM端口,四个USB 3.0端口,双LAN端口和一个线路输入/输出接口。
该设备还支持全尺寸的mini-PCIe插槽、M.2 E-key 2230和SIM插槽作为扩展接口。此外,通过搭配Intel®Iris®Xe显卡,EMP-510支持多个显示,包括一个 DP 1.4(8K)和三个HDMI 2.0b(4K) ,让图像显示变得栩栩如生。
符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓(GaN)选项。
新器件采用PI的PowiGaN技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,并且无需散热片。更大的功率和更高的设计裕量特别适用于在基于400V母线系统的电动汽车中对12V电池进行替代。
所有InnoSwitch3-AQ器件均具有同步整流控制、波谷开通的非连续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)反激式控制器。FluxLink通信技术可使IC封装位于安规隔离带上,这样可省去光耦器并提高效率,从而增加电动汽车的续航里程和改善热管理。

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