在低压应用中适度100mV压降和相关耗散超出可接受的范围
发布时间:2024/7/12 21:16:46 访问次数:108
两芯片AHV85000和 AHV85040隔离栅极驱动器IC解决方案可与外部变压器协同工作，能够为太阳能逆变器、xEV充电基础设施和储能系统(ESS)等清洁能源以及数据中心电源等应用提供更大设计自由度和更高功率效率。
新的组合芯片隔离栅极驱动器能够为具有不同隔离要求的应用提供更多优势。
通过进一步优化系统成本和空间，这一行业领先的解决方案可提供更大的设计灵活性，包括可选择不同隔离级别、最适合于具体应用的变压器，及在系统中布置隔离屏障的位置灵活度。
IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。
内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置,以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。
整流二极管的正、反向阻值相差越大越好，若测得正、反向阻值相近，则说明该整 流二极管已经失效损坏。
由于输入电压偏移和偏置电流以及它们随后的温度相关漂移，检测放大器电路(几乎总是为此类应用设计的运算放大器)中的缺陷也会影响较低的电压降 - 所有这些这可能会破坏超出允许公差的感测值。
一般来说，最好使用较小值的电阻器，其相关电压降和功率损耗较低，总体上更好，但只能达到一定程度。一个起点指导原则是在最大电流下为大约100mV压降确定电阻器的大小。
对于许多应用，快速V=IR计算将电流检测电阻值置于1到10毫欧之间。然而，在低压应用中，即使是适度的100mV压降和相关的耗散，也可能超出可接受的范围。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
两芯片AHV85000和 AHV85040隔离栅极驱动器IC解决方案可与外部变压器协同工作，能够为太阳能逆变器、xEV充电基础设施和储能系统(ESS)等清洁能源以及数据中心电源等应用提供更大设计自由度和更高功率效率。
新的组合芯片隔离栅极驱动器能够为具有不同隔离要求的应用提供更多优势。
通过进一步优化系统成本和空间，这一行业领先的解决方案可提供更大的设计灵活性，包括可选择不同隔离级别、最适合于具体应用的变压器，及在系统中布置隔离屏障的位置灵活度。
IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。
内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置,以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。
整流二极管的正、反向阻值相差越大越好，若测得正、反向阻值相近，则说明该整 流二极管已经失效损坏。
由于输入电压偏移和偏置电流以及它们随后的温度相关漂移，检测放大器电路(几乎总是为此类应用设计的运算放大器)中的缺陷也会影响较低的电压降 - 所有这些这可能会破坏超出允许公差的感测值。
一般来说，最好使用较小值的电阻器，其相关电压降和功率损耗较低，总体上更好，但只能达到一定程度。一个起点指导原则是在最大电流下为大约100mV压降确定电阻器的大小。
对于许多应用，快速V=IR计算将电流检测电阻值置于1到10毫欧之间。然而，在低压应用中，即使是适度的100mV压降和相关的耗散，也可能超出可接受的范围。
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