MOS管是一种由金属氧化物半导体构成的三极管，它的工作原理是通过控制门电压来控制通过源极和漏极的电流。

MOS管可以根据其结构特点分为两大类：一类是普通MOS管，它的结构由源极、漏极、门极和金属氧化物层组成；另一类是双极MOS管，它的结构由源极、漏极、门极和两层金属氧化物层组成。

断线或零线错接成相线等使电路电压升高时，取样电路次级电压也随之升高，光电耦合器满足工作条件，光耦输出电流增大，使VT管偏置电压升高并饱和导通，执行机构继电器动作吸合，切断电源进而达到保护电器的目的。

复位脉冲发出后，主机重新将DQ置为高电平(即释放总线)并等待15~60μs，之后检测从机是否发出了“存在脉冲”。若检测到“存在脉冲”则开始通信，否则不通信。

主机发出复位脉冲并释放总线时，总线上产生上升沿。从机(此处指DS18B20)检测到该上升沿后，等待15~60μs再将总线DQ引脚置为低电平，并保持60~240μs。如图6-21所示，这个持续60~240μs的低电平即是从机发出的“存在脉冲”。

TTL与CMOS转换法是在不同的电平之间转换的一种方法。TTL和CMOS属于不同的信号电平标准，TTL的高电平标准为2.4V，而CMOS的高电平标准为5V。通过电平转换器将TTL的信号转换为CMOS的信号，可以方便地进行信号的传输。