“使用4200A-CVIV BiasT的MOSFET3端C-V测试”项目，该项目使用了hivcvulib中的SweepV用户模块。该用户模块允许在漏极处进行一次扫描，并在器件每个端口处进行电容测量。

进行开路和短路补偿，以确保准确的测量。执行这些补偿需要执行特定的配置步骤。它们被称为补偿测量，并在项目树中提供。在执行任何测试之前，将对每个测试执行补偿。4200A可以存储对每个配置的补偿，可以执行多个测试。该项目有五种不同的配置：CISS、CRSS、COSS、CGS和CDS 。

必须为每个测试配置CVIV。CVIV有许多输出模式,这些都在用户手册中有描述。

对每个元件和电路级电容测量的CVIV的每个通道的状态。

CGS的配置，当SMU在漏极处扫描直流电压时，该测试测量了MOSFET的栅极和源极之间的电容。CDS的配置，当SMU在漏极处扫描直流电压时，该测试测量了漏极和源极之间的电容。CRSS配置。该测试测量MSMU扫扫漏极直流电压时MOSFET的反向传输电容。

MOSFET的三个端口的三个扫描SMU。SMU1和SMU2将使用高达400V的差分电压。SMU2和SMU3必须在相同的电压下同时扫描，这可以使栅极下降0V。使用这种方法，我们可以在Drain端产生一个400V的扫描电压。此方法仅用于封装器件，而不适用于晶圆级设备。

一个项目，“MOSFET 3-terminal C-V Test Using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一个SMU加到漏端，从0到200V直流偏置电压扫描。

另一个项目，“MOSFET 3-terminal C-V tests up to 400 V using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一种新方法将电压从0到400V。