与缺乏温度补偿电感DCR误差和负载时间常数误差补偿相比是一个显著改进
发布时间:2024/4/24 13:12:31 访问次数:58
2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。
工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此发布了业界首款2200V产品。
由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。
利用电源的全数字控制，可以通过PMBus和AVSBus接口连接到系统管理器来监测和控制整个系统。
AVSBus接口允许连接至任何通用ASIC或处理器，以进行监测和调整电压，根据负载要求来调整电源，提升能效。
通过低功耗技术及电源管理技术实现多种功耗管理模式和更低能耗，低功耗模式微秒级快速唤醒。
通过数模混合设计架构技术实现更高集成度，多通道高达5Msps 12bitADC、多通道1Msps 12bit DAC，集成运算放大器，模拟比较器、电容式触摸控制和显示驱动器，集成多种高速通信接口、以太网控制器，低功耗无线连接。
变压器的损耗包括铁损和铜损，变压器的铁损受工作频率和感值的影响，频率低损耗小，感值高损耗小，所以设计变压器的时候，要兼顾工作频率和感量值，在一个比较合适的值，损耗就会小，待机的时候变压器铜损是很小的，对整体的损耗影响甚微，设计变压器的时候，选择适当的线径及匝数即可。
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2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。
工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此发布了业界首款2200V产品。
由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。
利用电源的全数字控制，可以通过PMBus和AVSBus接口连接到系统管理器来监测和控制整个系统。
AVSBus接口允许连接至任何通用ASIC或处理器，以进行监测和调整电压，根据负载要求来调整电源，提升能效。
通过低功耗技术及电源管理技术实现多种功耗管理模式和更低能耗，低功耗模式微秒级快速唤醒。
通过数模混合设计架构技术实现更高集成度，多通道高达5Msps 12bitADC、多通道1Msps 12bit DAC，集成运算放大器，模拟比较器、电容式触摸控制和显示驱动器，集成多种高速通信接口、以太网控制器，低功耗无线连接。
变压器的损耗包括铁损和铜损，变压器的铁损受工作频率和感值的影响，频率低损耗小，感值高损耗小，所以设计变压器的时候，要兼顾工作频率和感量值，在一个比较合适的值，损耗就会小，待机的时候变压器铜损是很小的，对整体的损耗影响甚微，设计变压器的时候，选择适当的线径及匝数即可。
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