大单元密度和管芯尺寸伴随高栅极和输出电荷增加开关损耗和成本
发布时间:2024/4/23 22:40:56 访问次数:49
平面式高压MOSFET的结构显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。
平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。
但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。
显然，要想显著减小RDS(on)的值,就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法,并大幅减小epi电阻。
通过内置EMI/RFI滤波器，该系列显著增强了对空间辐射干扰的抑制能力，确保在实际应用环境中展现卓越的抗干扰性和鲁棒性，为稳定可靠的运行提供了坚实保障。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计,将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。
功率级IC利用核心功率和模拟技术，将GaN HEMT和栅极驱动器集成到单个封装中，从而大大简化了设计与安装。
该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5x6 mm2 SMD封装。
这款OptiMOS 7 80V产品非常适合即将推出的48V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
深圳市品德冠科技有限公司http://jzs66.51dzw.com
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平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。
但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。
显然，要想显著减小RDS(on)的值,就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法,并大幅减小epi电阻。
通过内置EMI/RFI滤波器，该系列显著增强了对空间辐射干扰的抑制能力，确保在实际应用环境中展现卓越的抗干扰性和鲁棒性，为稳定可靠的运行提供了坚实保障。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计,将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。
功率级IC利用核心功率和模拟技术，将GaN HEMT和栅极驱动器集成到单个封装中，从而大大简化了设计与安装。
该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5x6 mm2 SMD封装。
这款OptiMOS 7 80V产品非常适合即将推出的48V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
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